一·真空晶体生长炉单晶炉石墨烧结炉设备用途
主要用于LED行业的宝石类晶体制备，氟化物类晶体生长，烧结，退火等处理
二·真空晶体生长炉单晶炉石墨烧结炉产品特点
1·模块化设计，结构紧凑，外形美观
2·采用底部电动升降和钟罩式炉体升降，结构精巧，方便，移动平稳装卸料方便
3· 采用触摸屏+plc控制方式，自动化程度高，操作直观，功能强大。
4· 在触摸屏内可预存几十种烧结工艺，一次编辑，以后直接调用使用，省去多次编辑工艺的麻烦，避免输入错误，烧坏产品。
5· 烧结的温度，真空度，等数据可实时记录，也可随时启动停止记录，减少无用数据，数据可查询，可导出下载。
6· 烧结温度高，用石墨发热体，最高可达1600℃，
三·设备参数
1·设备总功率：≤15Kw；电源电压：3相380V,50Hz
2·最高温度：1650℃ 加热功率 ≤8Kw 单相220V
3·额定温度：室温~1600℃
4. 工作区尺寸：Ф60×100mm（直径×高，）
5·炉体内径Ф300Ф500mm（暂定）
6.测温系统： 钨莱热电偶
7.控温精度： ±0.1℃
8.加热区： Ф80×120mm
9.坩埚下降速度： 慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）
快速升降50-200mm/min（带手动升降）
位移行程 ≤150mm
10.中心轴有效行程/载重： ≤300mm/20kg
11.炉内充气压力： ≤0.05MPa
四、结构说明
1、炉盖：采用双层水夹层结构，内外壁为304不锈钢，内外壁与炉体上下法兰组焊成整体结构，炉盖设有锁紧装置。内外壁都做精密抛光处理，炉盖上留有充放气阀，压力表等标准接口。
2、炉体机构：同样采用外壁为304不锈钢材料双层水夹层结构，内、外壁作精密抛光处理，炉体与下法兰组成筒型结构，法兰平面开设密封槽。采用“O”形圈真空密封，并设水冷装置（防止因温度过高使“O”形圈老化。侧部设计有加热电极以及测温装置接口，还配置有标准KF真空接口。
3、炉底及升降装料机构：炉底与炉体采用“O”圈真空密封，并设水冷装置，真空系统及坩埚电动伺服丝杆升降，炉底与炉体的联接均采用紧固压紧密封。炉底法兰整个安装在一线性模组上，可整体升降，用于装卸材料使用。炉底配置晶体生长用线性模组，由伺服电机带动，用于坩埚升降，做晶体生长使用。升降杆与炉底采用焊接波纹管密封，防止行走过程真空的泄漏，保证密封的可靠性。
4、发热元件及隔热屏：加热采用高纯石墨作发热体，纯度高，无挥发，有效保证炉腔内的清洁度。隔热材料采用石墨成型纤维软毡，保温效果好，耐冲击性好。整个隔热屏采用金属框架固定，便于安装与维护。温度控制采用一支钨铼热电偶全称控温测温使用。同时，在隔热屏外设置一支监控热电偶，监控隔热屏外温度，提高设备的安全使用性能效率高耐冲击性强发热体与炉体电极联接，水冷电极安装在电炉侧部，并设冷却水通水冷却。
5、真空系统：由TRP-16机械泵,和高真空气动挡板组成，并配有真空压力表、充气阀、放气阀。真空管道与泵联接采用快速接头联接（减缓震动），真空测量选用具有数字显示功能的复合真空计执行。
6、温控系统：控制加热系统有可控硅调压器+低压高流大功率变压器+测温装置，组成闭环控制系统，温度仪表采用程序仪表带PID自动调节功能，带自整定自我调整能力。稳定可靠，控制精度高。控制系统采用PLC+触摸屏的方式，温度、真空、位移数据可记录可查询，曲线可现实，数据可保存可导出，温度程序数据可编译可保存可调用。控制系统集中安放在炉架的一侧箱体内，整结大方，维修方便，所有器件均采用施耐德，西门子等，保证使用安全。控制箱柜上都有安全警示贴，安装接线标准化制作。
7、水冷分配系统：由主管道、分管路、水阀、压力报警等相关装置组成，具有断水声光报警及自动切断电源等功能。
8、变压器及联接电缆：采用与之相匹配的变压器及联接电缆
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