本实用新型属于半导体领域,尤其涉及一种半导体芯片自动仓储系统。背景技术芯片存储入库/出库/查找需要人工完成,存在误生产可能。仓储主要结构为摆放区、托盘,托盘使用叉车进行搬运,芯片包装盒人员手动搬运,当前芯片仓储主要依靠人工完成,无自动化应用技术,找寻需要芯片,人工手动完成,耗费时间,包装盒人员手动搬运,质量中,存在安全隐患,运营人力多,运营成本较高,芯片存储需要使用的占地面积较大。实用新型内容本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种半导体芯片自动仓储系统。本实用新型的的目的可
.本申请涉及太阳能电池领域,具体而言,涉及一种钝化接触电池及其制备工艺。背景技术.相较于其他传统的太阳能电池,掺杂氧化层钝化接触电池可以明显提高太阳能电池的光电转换效率,在目前已经占有一定的市场份额,具有极高的产业化价值。.目前,掺杂氧化层钝化接触电池技术关键部分是,首先在电池背面生长一层厚度约.nm的隧穿氧化层siox,然后沉积磷掺杂的n-poly-si(重掺杂多晶硅)薄膜,经过高温退火后,能够有效地降低背面复合电流密度。.掺杂氧化层钝化接触电池在大规模量产的过程中,主要的技术路
n-topcon电池及其制作工艺技术领域.本申请涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及一种n-topcon电池及其制作工艺。背景技术.n型topcon电池和hjt电池是当下比较热门的两大新型电池,n型topcon电池与现有的perc电池产线具有很好的兼容性。对于n型topcon太阳能电池,目前的主流制备工艺包括:硅片-制绒-正面硼扩散形成n型硅片-背面刻蚀-隧穿氧化-原位掺杂非晶硅-去绕镀-正面氧化铝-正面氮化硅-背面氮化硅-印刷烧结-测试分选。.p型太阳能电池的制备工艺中,需要对硅片进行
n型topcon电池片及其制备方法技术领域.本发明属于太阳能电池技术领域,具体而言,涉及n型topcon电池片及其制备方法。背景技术.目前光伏市场主流电池产品为p型perc电池,下一代的升级产品最大可能为n型topcon电池,常规工艺路线topcon电池硼扩散后需要进行背面抛光工艺,目的为去除硅片侧边及背面边缘硼扩散绕镀,同时形成背面小方块结构,增强背面钝化效果。为了兼容电池背面金属的接触性能,电池背面碱抛方块大小只能控制在~μm,相对于方块尺寸更大(>um)的背面形貌结构,其钝化效果
.本发明涉及废弃锂离子电池材料回收技术领域,尤其是涉及一种失效锂离子电池正极材料修复方法、再生正极材料及应用,具体涉及一种失效锂离子电池正极材料修复方法、再生正极材料及使用该再生正极材料的正极片和电池。背景技术.近年来,随着移动电子设备和电动汽车的大量使用,锂离子电池的使用量与日俱增,尤其是新能源汽车爆发式的增长,让锂离子电池的产量呈现井喷的趋势。据统计年,中国锂离子电池正极材料的产量达到.万吨,而锂电池的寿命一般在?年,预计到年,中国会产生接近万吨废弃锂离子电
topcon电池及其制备方法和电器设备技术领域.本发明涉及电池技术领域,特别是涉及一种topcon电池及其制备方法和电器设备。背景技术.topcon电池(隧穿氧化层钝化接触电池),是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的太阳电池。topcon电池是由德国fraunhoferise研究所的frankfeldmann等人,于年报导其取得突破性试验进展。该技术关键部分是,采用化学湿法氧化的方法,先在n型硅基板的背面采用高浓度hno进行氧化形成一层.nm的隧穿氧化层sio,然后沉积磷
一种制备锂掺杂、钴负载的g-cn光催化剂的方法技术领域.本发明涉及废旧锂离子电池资源化处理技术领域,具体涉及一种制备锂掺杂、钴负载的g-cn光催化剂的方法,尤其是涉及一种用废旧钴酸锂电池正极材料制备锂掺杂、钴负载的g-cn光催化剂的方法。背景技术.目前,锂离子电池(libs)产品巨大社会生活需求已经了常态,这也意味着将持续产生大量的废旧锂离子电池。从可持续发展的角度出发,回收废旧锂电池中的金属资源,尤其是正极材料中的锂,钴等金属,再用于新电池的生产,对于锂电池制造商来说是非常重要
.本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池的光注入钝化方法,尤其涉及一种p型太阳能电池的光注入钝化方法。背景技术.随着太阳能电池技术的快速发展,高效电池的开发越来越受重视,在目前的光伏市场中,成功商业化的太阳电池主要有:晶体硅太阳电池、砷化镓太阳电池、碲化镉太阳电池、薄膜非晶硅太阳电池以及铜铟硒太阳电池。而晶体硅太阳电池因为其相对较低的成本,高的转换效率和较好的稳定性等优势,占据着太阳能光伏市场%以上的份额,而这一份额会在接下来相当长的一段时间内继续保持,而perc电池凭借好
.本发明涉及电芯涂胶技术领域,尤其是指一种锂电池电芯涂胶方法及系统。背景技术.电池的制造过程中,电芯涂胶和下箱体涂胶是一道非常重要的工序,电芯涂胶与下箱体涂胶均有a胶、b胶两种胶型,通过将a胶与b胶以一定的比例进行混合后再打出到产品表面,为了防止出胶嘴堵塞,在涂胶完成后涂胶机按照设定,以一段时间排一次胶水的方式排胶到混合管下面的垃圾桶里,这导致在空闲时间内浪费了大量的a、b胶。.目前,现有技术一般都是针对涂胶效率进行的改进,例如,一种在中国专利文献上公开的“一种电芯自动涂胶装置及方法”,其
本申请属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种提高太阳能电池抗醋酸腐蚀性能的热处理方法和系统。背景技术太阳能电池组件的效率的提高一直是我们追求的,然而,目前经研究发现经测试分选结束后的perc电池片,进行组件封装时,perc电池片容易与电池组件的eva膜分解的醋酸发生反应,导致组件效率衰减更严重。基于此,如何提高太阳能电池抗醋酸腐蚀的性能,成为了亟待解决的问题。发明内容本申请提供一种提高太阳能电池抗醋酸腐蚀性能的热处理方法和系统,旨在解决如何提高太阳能电池抗醋酸腐蚀的效果的问题。第一方面,本申请提供
.本发明属于锂离子电池正极材料领域,涉及一种混合高镍正极材料及其制备方法。背景技术.锂离子二次电池具有能量密度大、循环性能好、自放电小、体积小等特点,已经在移动通信设备、小型电子产品、航空航天及生物医药等领域得到广泛应用,目前市场主要由钴酸锂和磷酸铁锂占据,但高成本的钴酸锂和低容量的磷酸铁锂均不能满足锂电消费市场需求。随着市场对正极材料能量密度提高要求,ncm系及nca等高镍三元将会逐渐成为主流。.高镍三元正极材料具备高的克比容量,不具备高的压实密度,而能量密度和克比容量以及压实密度均为
.本发明属于半导体激光器端面镀膜技术领域,具体涉及一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法。背景技术.为了提升半导体激光器芯片的使用寿命,提高产品的可靠性能力,需要对芯片的前后腔面进行镀膜处理,实现对腔面的保护以及通过腔面不同膜层特性,实现对于激光器阈值的降低和功率的提升目的;尤其是随着目前高速率芯片在掺杂时普遍采用ingaalas结构,al在空气中极易氧化,解理形成的腔面受到氧化后极易形成氧化物缺陷,导致激光器在运行过程中容易在缺陷处形成热量堆积,对腔面的膜层质量造成影响,增大了膜层失效风险,直
.本发明涉及半导体设备加热盘技术领域,更具体地说,它涉及一种基于化合物半导体设备的分区式加热盘。背景技术.半导体设备,即在芯片制造和封测流程中应用到的设备,广义上也包括生产半导体原材料所需的机器设备。在整个芯片制造和封测过程中,会经过上千道加工工序,涉及到的设备种类大体有九大类,细分又可以划出百种不同的机台,占比较大市场份额的主要有:光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机、测试机、分选机、探针台等。.半导体设备在沉积反应时往往需要使晶圆及腔室空间预热或维持在沉积反应所需要的温度,大多数半
一种mabs复合材料及其制备方法技术领域.本发明属于高分子材料领域,具体涉及一种mabs复合材料及其制备方法。背景技术.透明abs(简称mabs)是以abs树脂为基础,abs材料是由丙烯腈、丁二烯和苯乙烯三种单体合成的一种共混物,其中接枝共聚物和基体树脂不相容,abs树脂通常是不透明的。引入甲基丙烯酸甲酯单体进行共聚改性制备而成,使其兼具了良好的透明性以及物理性能,成为了abs材料家族中重要的一员。.mabs相较传统的透明材料san、gpps、pmma树脂具有更好的冲击性能,相较pc树脂在
.本发明属于生物医药领域,涉及一种适用于规模化、高浓度、粒径为纳米级的氢氧化铝佐剂制备方法。背景技术.佐剂是能够非特异性增强或改变机体对抗原免疫应答的物质。具有佐剂效应的物质很多,但目前仅有少数被批准用于人用疫苗。铝佐剂是常见的免疫增强剂,主要有氢氧化铝和磷酸铝,其中氢氧化铝使用最广泛,已经有近百年的使用历史。.氢氧化铝佐剂为弱晶型勃姆石(poorly?crystallineboehmite,pcb),是两性化合物,在生理ph值情况下使用时带正电荷。通过静电引力、疏水等作用力与抗原结合。
本发明涉及水处理添加剂技术领域,具体涉及到一种利用铝灰生产高纯无色透明聚氯化铝的方法。背景技术铝灰的主要成分为氧化铝、氮化铝、金属铝、盐类以及其它组分,经无害化处理后,可作为铝系净水剂的原料,如生产聚合氯化铝。传统利用铝灰生产聚合氯化铝,是将铝灰与工业盐酸按照一定比例,通常是1:2,混合搅拌一定时间,然后加水稀释,陈化一定时间后,放出上清液,即为液体聚合氯化铝,经滚筒干燥或喷雾干燥,即为固体聚合氯化铝。由于铝灰中含有大量钙、镁、铁等杂质元素,因此通过传统方式生产的聚合氯化铝杂质多,颜色和浑浊度不
本发明属于石英砂制备技术领域,具体涉及一种利用石英原石加工的高纯度石英砂制备方法。背景技术石英砂又叫硅石,属于质地坚硬、耐磨、化学性质稳定的硅酸盐类矿物,石英原石是石英砂的原材料。普通石英砂的组成物质以石英为主,还有长石、云母、岩屑、重矿物、黏土矿物等,高纯石英砂是指sio2含量高于99.9%的石英微粉。早在20世纪70年代国外就开始利用石英砂制备高纯石英砂,而我国的高纯石英砂的生产起步于20世纪90年代,高纯度石英砂主要应用在集成电路、光纤、激光、航天、军事、塑料、橡胶、胶结料和涂料以及石英玻
.本实用新型属于半导体器件加工技术领域,特别是涉及一种振动式半导体贴片材料筛分机。背景技术.在半导体器件的生产过程中,每一种半导体器件均需镀锡处理,贴片材料在表面处理镀锡过程中使用的滚筒,因其本身体积较导线小不易上锡,需要填充一定比例的铁丝进行辅助导电电镀;材料电镀完毕后,现有技术中由于缺少专用的筛分机,通常是人工手工将铁丝筛选出来,然而,人工不仅用时时间长,劳动强度大,而且易有残留材料,铁丝与半导体贴片材料缠绕在一起,筛分不净造成后续使用时挑选繁琐,同时造成残留余料逃逸导致混料。.现有技
一种锂电池材料pvdf粒径测试的新方法技术领域.本发明涉及舵片喷涂技术领域,具体为一种锂电池材料pvdf粒径测试的新方法。背景技术.传统的锂离子材料pvdf粒径测试方法参照《hg/t-聚四氟乙烯树脂粒径试验方法》,采用悬浮法或分散法聚合的聚四氟乙烯树脂,粒径的测定可分别选用湿筛法和干筛法。湿筛法的测试原理为用一组筛子将材料进行分级来测定聚四氟乙烯树脂的平均粒径和粒团大小,分级前,用%乙醇喷淋过筛,以破碎结块料团和防止筛孔的阻塞。测试过程需要使用过筛和喷淋装置。干筛法的
.本发明属于熔融硅造粒技术领域,涉及一种熔融硅出料的造粒装置及其造粒方法。背景技术.工业硅的性质与锗、铅、锡相近,具有半导体性质。硅在地壳中资源极为丰富,仅次于氧,占地壳总重的四分之一还多,以二氧化硅或硅酸盐形式存在。工业硅的应用领域非常广泛,主要用于有机硅生产原料、非铁基合金的添加剂以及制取高纯度的半导体材料等。工业中高纯度硅的生产工艺中需要将高温熔融硅冷却破碎造粒并同时保证纯度。一般的工艺方法是直接冷却再用锤破机破碎,但锤破机的锤头与硅块直接接触,其金属物质会混入硅块,导致硅纯度下降,成
.本发明属于电驱动膜分离技术领域,涉及一种阳离子交换膜,尤其涉及一种单价选择性阳离子交换膜及其制备方法与应用。背景技术.电渗析技术已广泛应用于化工、食品及制药等领域,但是常规电渗析过程难以实现单多价离子间的分离;随着工业发展的需求,近年来选择性电渗析技术正得到广泛关注。.单价选择性离子交换膜的筛分机理主要是基于孔径筛分、静电排斥和水合能差异;目前常见的单价选择性离子交换膜制备方法包括共混、共价交联、表面改性及复合法。其中,共混或共价交联的方法由于是对膜的整体结构性能进行调控,膜致密度或亲疏
.):,按照体积比%-%向所述混合溶液中加入所述催化剂。.在本发明的一些实施例中,所述步骤s中,老化时间-h,干燥方式采用常温干燥,常温干燥时间为-h;或者,.干燥方式采用冷冻干燥,冷冻干燥时间为-h;或者,.干燥方式采用超临界干燥,超临界干燥时间为-h。.在本发明的一些实施例中,所述步骤s中,在高温合成步骤之前先进行粉碎处理和筛分分离,将所述有机聚合物粉碎至.mm-mm。.在本发明的一些实施例中,所述步骤s中,采用研磨设备进
.本发明属于三元锂电池技术领域,具体涉及一种三元前驱体的生产方法。背景技术.在生产三元锂电池前驱体的过程中,将一定浓度配比的硫酸溴、硫酸钴、硫酸锰溶液通入合成釜中,并通入适当浓度的氨水、纯碱,在氮气保护、搅拌的工况下,制备三元锂电池前躯体浆料。进行陈化反应后再经干燥机干燥、混料机混匀、筛分机筛分后,得到符合要求的三元锂电池前驱体。.前驱体在合成釜中的生长原理是络合反应,长时间开釜反应会导致一部分前驱体在合成釜的内壁上形成垢,壁垢缓慢脱落随溶液流入后端,从筛分机上分离出来。该过程要严格把控筛
.本发明涉及锂离子电池材料技术领域,具体涉及一种降低三元锂离子电池材料前驱体磁性异物的方法及设备。背景技术.新能源汽车作为未来汽车行业发展的方向,动力电池作为新能源汽车的重要组成部分。研究表明与磷酸铁锂电池相比,三元电池的高电压、高能量密度受到了越来越多的关注。镍钴铝、镍钴锰三元前驱体作为锂电池中正极材料的主要原料,其中的异物含量指标对电池的性能有着决定性的影响。金属溶液以及辅助溶液中若存在的异物,在电池制作过程中常常会引起电池自放电,性能衰减,甚至可能引起电池短路,引发安全问题。因此,在三
本发明涉及一种锂电材料除磁装置,具体是一种锂电材料除磁装置及其使用方法,属于锂电材料除磁设备技术领域。背景技术锂离子电池是以两种不同的能够可逆地插入及脱出锂离子的嵌锂化合物分别作为电池的正极和负极的两次电池体系,具有电压高、比能量高、循环使用次数多、存储时间长等优点,锂电池的重要组成部分是电极材料,用于制作形成锂电池的负极,锂电材料在作为锂电池的负极时,需要降低锂电材料中的磁性,避免影响锂电池的使用寿命。现有专利(公告号:cn201978815u)公开了一种搅拌筛分除磁机,涉及锂电电池材料及其相
.本发明涉及高通量测定金属粉末增材制造过程热影响区温度的方法,属于增材制造用金属粉末领域。背景技术.近年来,增材制造技术因其无需模具快速成形的特点在制备航空航天复杂结构件上展现出了显著的优势。金属粉末在高能束增材制造过程所经历的热历史对成形零件至关重要,增材制造成形时金属粉末快速熔化和凝固过程往往通过激光功率、扫描速度等设备参数进行控制,以获得相应组织和性能的零件。然而,对于金属粉末材料成形过程而言,温度才是直接影响组织和性能的关键因素。由于增材制造是一个高温、高速的过程,光斑尺寸小且移动速
.本发明属于磷矿粉技术领域,尤其涉及一种磷矿粉球用粘结剂及其制备方法和应用。背景技术.市面上磷矿粉成球技术很多,但投入量产较少,都仅为单纯的磷矿粉成球,且因为粘合性问题,只能~%替代原生矿石使用。现有技术中的产品粘合性差,导致成品球粉尘掉落较为严重,黄磷企业只能以不超过%的比例使用,超过比例会因为粉尘过大导致停炉。而且在生产成本上有待进一步的提高。发明内容.有鉴于此,本发明的目的在于提供一种磷矿粉球用粘结剂及其制备方法和应用,本发明提供的磷矿粉球用粘结剂制备的磷矿粉球具有较好的
.本申请属于锂离子技术领域,尤其涉及一种锂离子电池化成分容的方法。背景技术.锂离子电池具有能量密度高、环境友好、无记忆效应、循环寿命长、自发放电少等优点,是移动电话、摄像机等小型电子装置的理想电源,也是电动车、军用机械的理想轻型高能动力源,锂电池生产工艺复杂,不同的生产工艺决定着锂离子电池的性能特点。.在锂离子电池首次充放电过程中作为锂离子电池的极性非质子溶剂不可避免地都要在电极与电解液界面上反应,形成覆盖在电极表面上的钝化薄膜,称为电子绝缘膜或固体电解质相界膜即sei膜,钝化膜是多层结构
.本发明涉及锂离子电池测试领域,具体的涉及一种锂离子电池容量的预测方法。背景技术.锂离子电池作为能量的载体,最重要的是其可承载能量的多少。也就是电池的容量。电池的容量是其一项重要性能参数。在电池进行配组过程中,电池模组的容量由容量最低的电池决定——木桶理论,另外,电池容量差异大,组成模组以后会造成整体循环寿命降低。因此,电池在出货前需要进行容量分选及配组。.目前电池容量采用充放电设备,进行一定电流条件下的充放电测试,以确定电池的充放电容量。而随着电池产量的不断提升,电池容量测试所需的设备及
cvd流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法技术领域.本发明涉及化学气相沉积设备技术领域,具体涉及一种cvd流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法。背景技术.硅负极材料由于其较高的理论容量(mah/g)、较低放电平台以及储量丰富等优势,成为当前最有可能替代传统石墨负极材料的新一代负极材料。.硅沉积在太阳能合成多晶硅或无定型硅中较为常见,通过通入硅烷(sih)或者(sihcl)等硅源,在硅棒或者籽晶粒表面沉积硅,并长大形成硅柱或硅锭。该反应通过控制钟罩炉中的温度、气氛浓度、压差,达到
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