一种沟渠双扩散金属氧化半导体制作方法及装置,包括如下步骤:掺杂;注胶和研磨;刻蚀;清洗;热处理;溅射。经过在背面的处理工艺,采用热处理过程后,通过对晶圆片探测数据,有效的改善沟渠双扩散金属氧化半导体没有出现源漏(源极和漏极)软击穿失效的情况。同时相对应所采取的装置是通过现有的高温炉就可以实现,不需要特别的购买新设备或专门的设备,因此节省了成本,提高了经济效益。
声明:
“沟渠双扩散金属氧化半导体制作方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)