国家稀土功能材料创新中心近日在集成电路（IC）封装用极薄载体铜箔技术上取得重要突破。该技术由唐云志教授团队研发，通过创新应用稀土材料，成功解决了极薄铜箔在芯片封装中的剥离强度、表面粗糙度及耐热性等核心问题，为国产高端电子材料发展提供了关键技术支撑。
载体铜箔是芯片封装载板的
关键材料，广泛应用于AI、云计算、5G通信等高端电子领域。传统载体铜箔由支撑箔、中间可剥离层和极薄铜箔组成，其中1.5-5微米的极薄铜箔层直接影响芯片性能。然而，由于极薄铜箔易出现剥离困难、表面缺陷、耐热性不足等问题，国内高端市场长期依赖进口。
此次技术突破的核心在于稀土材料的创新应用。研究团队采用水热合成法制备稀土离子四唑配位化合物，优化了有机层导电性，使载体箔剥离强度稳定控制在0.5-1.5N/cm。同时，通过调整合金层配方，实现了界面平整化，并构建了稀土配合物-合金中间剥离层，大幅提升了铜箔的剥离性能和表面质量。
在极薄铜箔制备工艺上，团队开发了均匀电沉积技术，使铜箔厚度降至2.5微米以下，表面粗糙度Rz≤1.5微米。此外，利用稀土盐微粗化技术，铜箔表面粗化面积增加56.4%，剥离强度提升10%，同时降低了高频电路中的“趋肤效应”，有效减少信号传输损耗。
该技术已具备规模化生产条件，所制备的铜箔具有基板结合强度高、界面纯净、易剥离等优势，可满足高端芯片封装需求。目前，相关技术已申请多项发明专利，并进入产业化推进阶段。
稀土材料在电子工业中的应用正逐步深化。此次技术突破不仅提升了国产铜箔在高端市场的竞争力，也为稀土功能材料的创新应用提供了新方向。未来，国家稀土功能材料创新中心将继续推动技术转化，助力我国集成电路产业链自主可控发展。
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