本发明属于VOCs催化剂的合成领域,具体涉及一种三维片状Na?α?MnO2的制备方法及其VOCs催化燃烧中的应用。一种三维片状Na?α?MnO2的制备方法,包括如下步骤:(1)将一定量的高锰酸钠完全溶解于含有浓盐酸的蒸馏水溶液中,搅拌溶解分散后在80摄氏度下反应8~12h,随后离心、洗涤、干燥得到前驱体Na?δ?MnO2;(2)将步骤(1)中的前驱体δ?MnO2在一定温度下煅烧2小时即得具有三维片状Na?α?MnO2。本发明提供的三维片状Na?α?MnO2制备方法简单,重复性强;制备出来的三维片状Na?α?MnO2具有优异的的热稳定性能,和本发明技术领域常用的α?MnO2相比具有优异的甲苯催化燃烧性能,因此本发明对VOCs催化剂的应用研究具有重大意义。
近日,固态电池制造商ION Storage Systems(ION)宣布将在马里兰州贝尔茨维尔总部附近建设全美最大的固态电池工厂。据悉,ION的固态电池工厂将采用最先进的生产技术和设备,以确保产品质量和生产效率。该工厂将不仅满足国内市场的需求,还将出口到全球各地。
摘要二维La07Sr03MnO3纳米薄膜在由m面蓝宝石表面重构的具有纳米凹槽的横向纳米复合材料下制备通过XRD测试样品晶体结构确定样品物质组成用原子力显微镜AFM测试薄膜表面形貌我们通过范德堡法测试了薄膜温度电阻RT曲线来表征其金属绝缘体转变MIT特性发现在重构蓝宝石基片的不同取向即在沟道的不同方向上其MIT表现出各向异性从磁化强度随温度的变化我们发现LSMO薄膜显示出顺磁铁磁PMFM相变并且在沟道的不同方向上其PMFM也表现出各向异性
等温回流时,微焊点两侧IMC呈对称性生长,IMC生长受晶界扩散控制;TG下回流时,微焊点两端IMC呈非对称性生长,冷端界面IMC生长迅速,生长受反应控制,热端IMC生长受到抑制且保持薄层状; Cu/Sn-5.0Ag/Cu在温度梯度下回流时,Ag原子向冷端迁移,并析出片状Ag3Sn,随着回流时间延长,部分Ag3Sn会溶解,Ag原子固溶于Cu6Sn5中; Ag在全IMC焊点中:①Ag3Sn,②Ag固溶于Cu6Sn5 IMC中;
摘要: 本文采用湿法包覆法成功制备了聚(3,4-亚乙基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐) (PEDOT:PSS)包覆的LiNi0.8Co0.15Al0.05O2正极材料,研究了包覆改性前后材料的微观结构及电化学性能。LiNi0.8Co0.15Al0.05O2颗粒表面的聚合物PEDOT:PSS包覆层厚度大约为14 nm,PEDOT:PSS包覆的LiNi0.8Co0.15Al0.05O2具有良好的电化学性能,在0.1 C倍率下首次放电比容量193.8 mAh/g,1 C循环100次后容量保持率为90.3%。PEDOT:PSS包覆层具有高电导率,可以提高材料的导电性,因此PEDOT:PSS包覆的LiNi0.8Co0.15Al0.05O2具有高放电比容量、好的循环稳定性和良好的倍率性能。
美国便携式多气体检测仪美国便携式多气体检测仪美国便携式多气体检测仪是一种对多种气体都有响应的固体指示传感头它可以检测的气体种类可达多种主机上储存有各种气体的设置和校正数据包括气体反应曲线传感头工作温度和零点
用真空热压法制备不同B4C颗粒尺寸(7 μm、14 μm、20 μm)的15%B4C/Al-6.5Zn-2.8Mg-1.7Cu复合材料,研究了增强颗粒尺寸对其微观组织和力学性能的影响。结果表明,在这三种复合材料中B4C颗粒均匀分布,B4C-Al界面反应较为轻微,未见明显的界面反应产物。三种复合材料基体中沉淀相的尺寸基本相同(约为5.5 nm)。B4C颗粒的尺寸对复合材料力学性能有较大的影响。B4C颗粒尺寸为7 μm的复合材料性能最佳,屈服强度为648 MPa,抗拉强度为713 MPa,延伸率为3.3%。随着颗粒尺寸的增大复合材料的强度和延伸率均降低。对三种复合材料的强化机制和断裂机制的分析结果表明:小尺寸B4C颗粒增强的复合材料强度较高,颗粒在变形过程中不易断裂,因此其塑性较好。
制备不同镁含量的Al-Mg-Ga-In-Sn合金并对其进行固溶和时效热处理,用XRD和SEM分析和观察了显微结构和腐蚀表面,用AFM/SKPFM测量了合金不同晶界相与铝晶粒间的电势差,用排水法测量了在不同水温下合金的铝水反应。结果表明,热处理改变了合金低熔点界面相的种类、形态以及合金晶粒内Mg和Ga含量。热处理态Mg含量低于4%的合金,其中有Mg2Sn、MgGa、MgGa2、MgIn界面相;在Mg含量为5%的热处理态合金中出现了Mg5Ga2、Mg2Ga相。在时效态合金晶粒内有MgGa相析出。与相同成分的铸态合金相比,时效态合金中各晶界相与铝基体间的电位差较大。热处理态合金的产氢速率和产氢率,与合金的Mg含量有关。分析了热处理使合金显微结构和晶界相与铝基体间电位差变化的原因,并讨论了热处理对合金铝水反应的影响。
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等手段表征AlN和GaN薄膜的微观结构和晶体质量,研究了TMAl流量对AlN薄膜和GaN薄膜的形核和生长机制的影响。结果表明,预沉积Al层能促进AlN的形核和生长,进而提高GaN外延层的薄膜质量。TMAl流量太低则预沉积Al层不充分,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与在气氛中团聚长大并沉积的低结晶度AlN薄膜之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而提高,GaN薄膜的质量也随之提高。TMAl流量太高则预沉积Al层过厚,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与Al-Si回融蚀刻之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而降低,GaN薄膜的质量也随之降低。
使用OM、SEM观察、XRD物相分析和拉伸性能测试等手段研究了铸态、固溶态和时效Al-Si-Cu-Ni-Ce-Cr铸造耐热铝合金的组织和力学性能。结果表明:对Al-Si-Cu-Ni-Ce-Cr合金进行490℃×2 h+520℃×2 h双步固溶处理,不仅使θ-Al2Cu相完全固溶进基体中,还使更多的γ-Al7Cu4Ni相和δ-Al3CuNi相充分固溶进基体中,实现了更好的固溶效果;经过490℃×2 h+520℃×2 h和185℃×6 h热处理后,Al-Si-Cu-Ni-Ce-Cr合金的室温抗拉强度为336.8 MPa、高温(300℃)抗拉强度为153.3 MPa,比铸态分别提高了74%和19.3%。
用共沉淀法制备LaMgAl11O19粉体,证明了提高沉淀温度和pH值可使前驱粉体的性能明显提高。应用差热分析和X射线法研究了磁铅石相的生成温度和粉体的结晶度;使用Scherrer 公式并结合XRD谱计算了晶粒尺寸;用扫描电镜观察了各工艺参数的前驱粉体在1500℃时效5 h后的形貌;使用Malvern ZEN3600粒度仪和Manual measurement软件分析了粉体硬团聚的尺寸分布;用Nd2O3, Gd2O3, Sm2O3替代La2O3,研究了制备多种镁基六铝酸盐粉体的可行性。结果表明:在pH值为11.5、沉淀温度为60℃条件下制备的前驱粉体,其完全相变为纯LaMgAl11O19粉体的初始温度为1440℃,比在常温下沉淀的前驱粉体降低了150℃,磁铅石相的生成效率明显提高。在1500℃时效5 h的粉体其晶粒为纳米尺度。提高沉淀温度和pH值有利于减小晶粒尺寸和降低粉体的热导率。采用相同工艺参数可制备出纯NdMgAl11O19粉体,其晶粒尺寸略大于LaMgAl11O19粉体的尺寸。
研究了Al-10.78Zn-2.78Mg-2.59Cu-0.22Zr-0.047Sr铝合金挤压材在固溶-T652和预回复-固溶-T652时的组织和性能。结果表明: 该合金在121℃×24 h时效制度下, 预回复退火处理可有效细化晶粒(从9.76 μm减小到5.56 μm), 降低晶界平均角度(从23.59°降低至17.41°), 显著提高低角度晶界百分比(从53%提高到67%), 提高位错强化, 并显著抑制再结晶的发生, 与固溶-T652相比, 预回复-固溶-T652工艺在不降低强度的情况下可提高其晶间和剥落腐蚀性能(最大晶间腐蚀深度从125.0 μm减少到91.4 μm, 剥落腐蚀从EB级提高到EA级), 在预回复-固溶-T652状态下合金的抗拉强度达到728 MPa, 预回复退火处理能提高合金的强度。位错强化和低角度晶界强化是合金的主要强化机制。
制备了挤压比λ为36和16的7N01铝合金挤压板材, 并分别进行自然时效和人工时效处理。用光学显微镜、扫描电镜、透射电镜、常温拉伸、宏微观织构测试和慢应变拉伸实验对其进行表征, 研究了挤压工艺对合金的力学性能和抗腐蚀性能的影响。结果表明, 不同挤压比的板材在相同时效状态下的组织和性能有明显的差异。大挤压比板材的内部多为细小的再结晶晶粒, 小挤压比板材内部为粗大的亚结构, 因此具有比大挤压比板材更高的抗拉强度和屈服强度。透射电镜观察结果表明, 大挤压比试样内晶界析出相比小挤压比时呈现更明显的断续分布。此外, 挤压比相同的板材人工时效处理后其抗拉强度和延伸率比自然时效板材均有所下降, 其中抗拉强度降低约为5.8%, 但合金的屈服强度得到了显著提高(约为25%), 在挤压比相同的情况下人工时效试样内晶界的析出相呈现断续分布, 因此具有更好的抗腐蚀性能。