1.本发明涉及数据处理技术领域，具体而言，涉及一种多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质。
背景技术：
2.多晶硅是光伏产业的主要原料，在双碳政策下的能源结构调整中发挥重要作用。还原炉是多晶硅行业中的核心设备，用于氢气和三氯氢硅在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅产品。
3.相关技术中，对于每个还原炉，需要用户在dcs系统中人工手动、三氯氢硅进料量，另外，还需要在plc系统中人工手动输入内、中、外三圈电压和电流设定值，以控制还原炉。
4.但是，相关技术中，需要用户分别在dcs系统和在plc系统中人工手动输入参数，浪费了不必要的人力资源，降低了用户体验。
技术实现要素：
5.本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质，以便解决相关技术中，需要用户分别在dcs系统和在plc系统中人工手动输入参数，浪费了不必要的人力资源，降低了用户体验的问题。
6.为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：
7.第一方面，本发明实施例提供了一种多晶硅还原炉的参数配置方法，所述方法包括：
8.显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；
9.响应输入的针对所述多组参数中一组目标参数的选择操作，确定所述目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据所述进料参数，控制所述目标多晶硅还原炉以所述工作电参数进行运行。
10.可选的，所述方法还包括：
11.在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示所述目标参数；
12.响应输入的针对所述目标参数的修改操作，修改所述目标参数，得到修改后的目标参数；
13.将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
14.可选的，所述在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内，显示所述目标参数，包括：
15.在所述目标多晶硅还原炉对应的显示区域内分页显示所述目标参数。
16.可选的，将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数，包括：
17.若所述录入控件处于触发状态，响应输入的针对保存控件的选择操作，将所述修改后的目标参数确定为所述目标多晶硅还原炉的最新控制参数。
18.可选的，所述方法还包括：
19.若所述录入控件为未触发状态，将所述目标参数设置为不可修改状态。
20.可选的，所述将
声明：
“多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：浙江中控技术股份有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
