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工作原理
SS150系列采用热阴极电子枪发射高能电子束，经三级电磁透镜聚焦后形成直径小于5nm的细束斑，在样品表面进行栅格式扫描。电子束与样品相互作用产生二次电子、背散射电子及特征X射线等信号，其中二次电子探测器捕获形貌信息，背散射电子探测器反映成分差异，信号经光电转换后生成高分辨率图像。设备支持1kV-30kV连续可调加速电压，通过手动调节光阑与聚焦旋钮实现电子束优化，适配不同导电性样品需求。
应用范围
覆盖金属材料断口分析、高分子复合材料界面研究、陶瓷晶粒尺寸测定等材料科学场景；支持生物细胞表面超微结构观察、药物载体形貌表征等生物医学应用；同时满足电子元器件失效分析、半导体晶圆缺陷检测等工业质量控制需求。其最大样品尺寸达50mm×35mm，兼容块状、粉末及薄膜样品，无需切片处理即可直接观测。
产品技术参数
分辨率：二次电子像≤3nm（30kV），背散射电子像≤8nm（3kV）
放大倍数：15x-150,000x连续可调
加速电压：1kV-30kV步进调节
样品台：五轴手动驱动，X/Y行程≥30mm，Z轴行程≥10mm，倾斜范围-10°至+90°
真空系统：高真空模式≤5×10⁻⁴ Pa，抽真空时间＜2分钟
探测器：集成二次电子探测器与可推出式背散射探测器
图像存储：支持BMP/TIFF/JPEG格式，最大分辨率2048×2048像素
产品特点
操作简易性：全手动控制界面，配备光学导航摄像头，可快速定位样品并切换观测区域，无需复杂培训即可上手。
环境适应性：主机尺寸紧凑，仅需普通实验台与220V电源即可运行，无需减震台或水冷系统。
功能扩展性：预留10个扩展接口，可兼容能谱仪（EDS）、电子背散射衍射（EBSD）等附件，实现成分分析与晶体结构测定。
维护便捷性：模块化设计便于快速更换灯丝与探测器，国内多地办事处提供48小时响应的售后服务，降低设备停机风险。
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云南 - 昆明
2025年09月25日 ~ 27日
