摘要: 与有机–无机杂化钙钛矿相比，全无机钙钛矿CsPbX3 (X = Cl, Br, I)中A位不含有易于热挥发的有机阳离子，因此具有更高的稳定性。全无机钙钛矿单晶具有低的缺陷密度，高的载流子迁移率，因而被广泛地用于制备光电器件。然而传统制造CsPbBr3单晶的方法，如布里奇曼熔融法、反温度结晶和反溶剂蒸汽辅助结晶等，往往依赖于高温、复杂工艺和真空环境。而且晶体质量相对较差，存在大量缺陷，严重影响器件性能。本研究工作中，我们使用了一种两段式升温法，通过缓慢蒸发溶剂控制钙钛矿在低温高质量成核，进而升高温度快速结晶生长，最终获得高质量的CsPbBr3块状单晶。利用该CsPbBr3钙钛矿单晶构建金属–半导体–金属结构的光电探测器，该器件展现出优异的光电性能，在1 V工作电压下，器件在540 nm处的响应度为2.68 × 10?3 A?W?1，在2 V电压下，光暗电流比可达2.23 × 103。同时它展现了快速的响应时间(上升时间：8.3 μs；下降时间：684.9 μs)。

摘要: 近年来半导体量子点以其发光效率高、量子点尺寸具有可调的发射波长、特有的光学特性以及分离三角功能状态和光学振子密度大、温度不敏感的光学增益受到人们的极大关注。本文利用无机钙钛矿量子点(CsPbBr3)修饰ZnO基紫外探测器来改善响应时间。结果表明，修饰后的紫外探测器，在400 nm可见光照射下，器件的响应恢复时间反偏为2 s，正偏时间为10 s，恢复时间明显改善。

采用光沉积法在SnSe纳米管表面沉积Ag纳米粒子,在室温下制备了Ag修饰的SnSe纳米管(Ag/SnSe),通过SEM、EDS、TEM和XRD等手段表征其表面形貌、元素组成和晶体结构。随后,将Ag/SnSe纳米管旋涂在FTO导电面作为工作电极并以Pt电极为对电极组装了Ag/SnSe纳米管红外探测器,使用830 nm的光作为红外模拟光源研究了红外探测性能。结果表明,Ag/SnSe纳米管的平均直径约为100~200 nm,Ag纳米颗粒负载在SnSe纳米管表面。与SnSe纳米管红外探测器相比,Ag修饰的SnSe纳米管红外探测器的最大光电流密度提高到120 nA/cm2,上升时间和下降时间分别缩短到0.109和0.086 s。同时,Ag修饰的SnSe纳米管红外探测器的稳定性较高,可循环使用。