本发明涉及一种以高纯二氧化硅和氢气为原料制备多晶硅的方法,属于非金属矿深加工技术领域。以高纯H2为还原剂、以高纯SiO2为硅源,先在高温1250‑1300℃下通入H2,使SiO2被还原成SiO,O与H2反应生成H2O;然后再升温到1350℃通入H2,把温度控制在1350‑1400℃之间。此时SiO被H2还原成高纯Si,SiO中的O与H2发生氧化还原反应后生成H2O,整个制备过程对环境无任何污染。
声明:
“以二氧化硅和氢气为原料制备多晶硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)