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Split Gate-IGBT结构及器件

852   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 20:39:54
本实用新型提供一种Split Gate‑IGBT结构及器件,其中,Split Gate‑IGBT结构,包括Split Gate结构、Trench Gate结构;所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本实用新型提供的Split Gate‑IGBT结构,通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构,在拥有较快开关速度的同时,还可进一步提高器件元胞密度,降低饱和压降;同时方便通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。本实用新型另外提供的器件,可广泛应用于工业加热、变频器、照明电路、新能源汽车等领域。
声明:
“Split Gate-IGBT结构及器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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