1.本发明属于金属氧化物靶材术领域，具体涉及氧化铟锡锌靶材及其制备方法。背景技术：2.铟锡锌氧化物(insnznox，以下简称itzo)，是一种透明非晶氧化物半导体(taos)，可以作为有源层参与制作薄膜晶体管(tft)，即taos-tfts，用作有源矩阵平板显示器的背板。相较于近年来被广泛应用在amoled产业中的铟镓锌氧化物(igzo)，itzo由于极轻的载流子有效质量(m*)和较长的载流子弛豫时间(τ)，具有5倍以上的迁移率。随着显示技术的发展，高刷新率、高分辨率是未来的市场趋势，这对薄膜晶体管(tft)的迁移率提出更高的要求，itzo有望成为这样的次时代材料。3.目前igzo-tfts存在的主要问题是迁移率不够高(10～20cm2/vs),而且ga元素成本较高。itzo薄膜作为itzo-tfts器件的有源层材料，一般通过磁控溅射从itzo靶材沉积在绝缘衬底上。磁控溅射是当前获得透明导电薄膜的主要方法，溅射过程中的电弧现象和靶材表面的结瘤现象严重影响溅射效率和靶材的利用率。4.提供一种迁移率高，性能好的靶材是目前急需解决的技术问题之一。技术实现要素：5.有鉴于此，一方面，一些实施例公开了氧化铟锡锌靶材的制备方法，包括：6.纳米氧化铟粉体、纳米氧化锡粉体和纳米氧化锌粉体按照设定比例混合，得到混合粉体；7.得到的混合粉体与设定比例的消泡剂、分散剂、粘结剂混合，然后依次经过高速分散处理、超声处理和球磨混合，得到混合浆料；8.混合浆料经过喷雾造粒，得到氧化铟、氧化锡、氧化锌混合粉体；9.得到的混合粉体经过放电等离子烧结；10.烧结得到的产物经过退火，得到氧化铟锡锌靶材。11.进一步，一些实施例公开的氧化铟锡锌靶材的制备方法，纳米氧化铟粉体、纳米氧化锡粉体、纳米氧化锌粉体的质量比设定为1.1:0.1:1.0。12.一些实施例公开的氧化铟锡锌靶材的制备方法，纳米氧化铟粉体、纳米氧化锡粉体、纳米氧化锌粉体的粒径为50～200nm，纯度为99.99％。13.一些实施例公开的氧化铟锡锌靶材的制备方法，混合浆料中，混合粉体的质量含量为50～55％。14.一些实施例公开的氧化铟锡锌靶材的制备方法，混合浆料中，消泡剂的质量含量为0.1～0.3％；分散剂为聚丙烯酸、氨水、纯水、以及正辛醇配制而成的ph为7的溶液；分散剂在混合浆料中的质量含量为0.5～1.0％；粘结剂为聚乙烯醇，粘结剂在
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“氧化铟锡锌靶材及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：中冶有色网
来源：郑州大学
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2025年05月16日 ~ 18日 
