1.本发明涉及一种铝基碳化硅的制备方法，具体为一种制备高性能铝基碳化硅的方法，属于铝基碳化硅生产技术领域。背景技术：2.铝基碳化硅即铝碳化硅，是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称，业内又称碳化硅铝或“奥赛克”，根据碳化硅的含量分为低体积分数、中体积分数和高体积分数，其中电子材料应用以高体积分数为主，主要是指将铝与高体积分数的碳化硅复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的封装材料，以解决电子电路的热失效问题，常应用与电子封装产业。3.如公开号为：cn105400977b，一种铝基碳化硅的制备方法，包括步骤：步骤一、制备sic/al浆料，使用sic微粉配制得到sic浆料，然后按比例加入铝粉和镁粉并混合均匀；步骤二、流延成型，对sic/al浆料除泡后加入sic/al浆料总重量1-3％的引发剂和2-4％的单体，混合均匀后，进行流延得到sic/al流延膜；步骤三、流延膜素烧，对步骤二得到的流延膜进行素烧，得到sic/al素坯；步骤四、真空烧结，将sic/al素坯在真空状态下烧结，得到铝基碳化硅。本发明通过采用凝胶流延法制备铝基氮化铝，得到的产品成分分布均匀，气孔率低，导热率高，且通过引入镁粉，改善烧结性能，降低烧结温度。本发明涉及的工艺简单，能耗较少。4.再如公开号为：cn114474707a，一种制作渗铝用碳化硅基体的方法，包括将碳化硅粉粒、高温粘接剂粉粒及催化剂按比例均匀混合，然后在打印机上均匀层铺，打印头喷射树脂粘接剂件将混合粉粒固化粘接成型；基块打印完成且硬化后，放入热处理炉中高温烧除常温树脂，同时高温粘接剂反应烧结，继续保持碳化硅基块的形状和强度，冷却后可用于后续渗铝处理。本发明渗铝碳化硅基块的制作方法，工艺简单，周期短，基块强度好，孔隙率均匀且比模压法高，便于后续渗铝操作。本方法可实现各种形状尺寸的碳化硅基块制作，成型速度快，可实现大批量渗铝碳化硅基体的生产。5.在如公开号为：cn111519059a，一种制备高性能铝基碳化硅的方法，涉及铝基碳化硅生产技术领域，包括如下步骤：粉碎研磨、制浆、铝粉溶解、搅拌混合、注浆、化学镀镍以及清洗烘干，在铝基碳化硅生产的过程中，涉及改性碳化硅浆液和铝液混合的操作时，采用真空搅拌机来替代现有技术中所采用的普通机械式搅拌机，可以有效避免搅拌机混合腔室中，因存在气体而导致物料混合不均匀的问题，并且在传统工艺中所执行的注浆操作之后，新增设有
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“制备高性能铝基碳化硅的方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：中冶有色网
来源：河南瀚银光电科技股份有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
