本发明属于无线通讯与电子陶瓷材料技术领域，具体涉及一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及制备方法，具体为mg2al4si5o18-tio2-bbs体系低温共烧陶瓷材料及其制备方法。背景技术：近年来，移动通讯、物联网(iot)、微波通信、直播卫星电视(dbstv)、卫星广播、蓝牙、wifi、智能交通系统(its)和工业4.0等信息通信技术(ict)以爆炸性的方式迅速发展给我们的生活带来了巨大的变化。特别是移动通信技术向着5g高频化、集成化、高稳定性和小尺寸的方向发展，对在5g通信系统中作为谐振器、滤波器、介质天线、介质基板、介质导波回路等的微波陶瓷介质需求量增大和市场前景广阔，5g技术发展使得开发高品质微波-毫米波微波介质陶瓷材料已经成为目前电子陶瓷材料领域中最活跃的一部分。为了满足5g通讯技术对信号低延迟要求，科学家们正在寻找具有超低介电常数、高品质因数(以qf值衡量)与工作频率稳定性好的新型微波陶瓷材料来抑制能量损失，降低信号传输延迟时间，保证器件在工作环境温度稳定。本发明提供一种介电常数10以下有着较高的品质因数且温度系数稳定的微波介质陶瓷，有助于丰富此类产品的需求。针对目前现有产品种类的不足和技术中存在的缺陷，解决现有技术中存在的缺陷，本发明专利提供一种mg2al4si5o18-tio2-bbs体系微波介质材料及其制备方法。技术实现要素：为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及制备方法，采用mg2al4si5o18-tio2-bbs体系微波介质陶瓷材料，该陶瓷材料介电常数在4.5～6.9左右，有着优良微波介电性能。为实现上述目的，本发明的技术方案为：一种低介电常数低温共烧陶瓷材料，采用mg2al4si5o18-tio2-bbs体系微波陶瓷材料，其原料成分为mgo-al2o3-sio2-tio2-bbs，其中，bbs的化学式为bi2o3-b2o3-sio2；原料mgo-al2o3-sio2以1:1:2.5的化学计量比进行配比，在1400℃左右合成mg2al4si5o18微波介质陶瓷粉末；然后mg2al4si5o18与tio2以7:3的化学计量比进行配比，在1200℃左右合成0.7mg2al4si5o18-0.3tio2复合陶瓷粉；在此基础上进一步加入低熔点玻璃粉bbs形成(100-x)(0.7mg2al4si5o18-0.3tio2)-xb
声明：
“低介电常数低温共烧陶瓷材料及制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：中冶有色网
来源：杭州电子科技大学
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2025年05月16日 ~ 18日 
