一种tzo陶瓷靶材制备方法及加工装置技术领域1.本发明涉及一种tzo陶瓷靶材，具体涉及一种tzo陶瓷靶材制备方法及加工装置。背景技术：2.靶材是高速荷能粒子轰击的目标材料。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。3.tzo薄膜是一种被广泛研究的功能材料。tzo透明导电膜性能稳定、制备简单、成本低廉，是新一代透明导电膜，有可能替代昂贵的ito，在薄膜，在平板显示、太阳能电池、节能玻璃、智能玻璃等领域有广泛的应用前景。4.通过能量束轰击tzo靶材将其气化，再沉积到基体表面即形成tzo薄膜。5.而靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大，陶瓷靶材的纯度越高，溅射薄膜的均匀性和批量产品质量的一致性越好。6.靶材的密度不仅影响溅射时的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象等，还影响着溅射薄膜的电学和光学性能。靶材越密实，溅射膜粒子的密度越低，放电现象越弱，而薄膜的性能也越好。此外，提高靶材的致密度和强度能使靶材更好地承受溅射过程中的热应力。溅射靶材的微观结构均匀性对溅射时的成膜速率、沉积薄膜的质量及厚度分布等均有很大的影响。因此，必须做到靶材成分与结构均匀性好，这也是考察陶瓷靶材质量的重要指标之一。7.因此，有必要深度研究如何有效地提高陶瓷靶材的质量。技术实现要素：8.为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种tzo陶瓷靶材制备方法及加工装置。9.为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：10.一种tzo陶瓷靶材制备方法，包括以下步骤：11.s1、将ti、zn、sn颗粒混合加入球磨机中，抽真空后球磨，制得混合纳米颗粒；12.球磨速率包括三个阶段，分别为：第一阶段的800～1200r/min，第二阶段的500～800r/min，第三阶段的1200～1500r/min；13.并于三阶段将氧气逐量的引入到球磨的密闭体系中，每次引入氧气都给予充分的球磨时间；14.s2、将混合纳米颗粒导入模具中，热压成靶材的粗胚；15.s3、以恒定的温降速率冷却上述粗胚至常温后，烧结，制得陶瓷靶材。16.上述步骤s1中ti、zn、sn的质量份比为(1-2)：(2-4)：(2-4)。17.上述步骤s1中的球磨时间为：第一阶段为1～2天,第二阶段为2～3天,第三阶段为3～4天。18.上述步骤s1中的混合纳米颗粒的粒径范围为20～50nm。19.上述
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编辑：中冶有色网
来源：江苏迪丞光电材料有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
