本发明公开了一种富含低价态Zn+离子的Zn/氮化碳异质结材料的制备方法及其产品和应用,具体涉及一种利用金属改性g‑C3N4材料的制备方法。该方法包括氢化g‑C3N4材料的制备和利用真空化学气‑固相反应法将金属离子组装扩散到氢化g‑C3N4中,得到富含低价态Zn+离子的Zn/C3N4异质结复合材料。Zn/C3N4异质结结构的存在,能够加快光生电子和空穴向表面的迁移,有效抑制光生电子和空穴的复合;同时该复合材料中还存在一定量高活性的Zn+离子,在可见光的激发下产生电子的转移,大大提高光催化活性。经测定,该材料的制氢产率可达到36.98 mmol h−1g−1,显示出优异的光解水制氢性能。
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