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基于导电基底直接生长氮掺杂碳‑钴复合物微片阵列的超级电容器负极及其制备方法

881   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:56:55
本发明公开了一种基于导电基底直接生长氮掺杂碳‑钴复合物微片阵列的超级电容器负极及其制备方法,所述负极包括导电基底、N掺杂碳微片,所述导电基底呈多孔状,所述N掺杂碳微片呈叶片状并阵列垂直分布于导电基底上,所述N掺杂碳微片包含均匀分布的Co纳米粒子。发明公开的负极结构氮掺杂碳‑钴复合物微片阵列直接生长在导电基底上,其具有很高的电子迁移率,有利于实现快速充放电,将所述负极进行电化学性质测试,在不同的扫速下,所述电极的循环伏安均显示相似的矩形形状,不同的电流密度下充放电曲线均显示线性特点,其表现了碳材料双电层特征。在增大电流密度时,所述电极的质量比容量变化较小,表明其作为超电容器负极有较好的倍率特性。
声明:
“基于导电基底直接生长氮掺杂碳‑钴复合物微片阵列的超级电容器负极及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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