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基于绝缘层上硅的电荷耦合器件

842   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:25
本发明公开了一种基于绝缘层上硅的电荷耦合器件,包括背栅极、衬底、埋层氧化层、漏极区、源极区、顶层硅沟道区、漏极金属接触、源极金属接触、正栅极氧化层和正栅极。入射光照射到器件表面时被衬底吸收,产生的少数载流子积累到由脉冲背栅形成的深耗尽势阱中,顶层薄硅耦合出与势阱中少子对应的电荷,正栅极施加电压放大光响应信号,从而有效收集载流子,实现随机、无损和高速读出;本发明可有效扩宽传统电荷耦合器件的光谱响应范围,同时改变了传统电荷耦合器件的读出方式,产生的信号直接由单个像素结构输出,且通过在正栅极施加电压对电荷积累起到增益的作用,放大器件的光响应信号,提高探测的响应速度和可靠性。
声明:
“基于绝缘层上硅的电荷耦合器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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