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高压半导体器件短期失效模型的建模方法

876   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:59:36
本发明实施例公开了一种高压半导体器件的短期失效模型的建模方法,包括:根据高压半导体器件的内部元胞结构得到正常工作模型;建立根据所述高压半导体器件失效后的器件模型;检测所述高压半导体器件的工作参数;当所述工作参数满足失效边界条件时,从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型。由此,可以有效地同时描述失效发展过程中的器件行为和器件失效的最终状态。
声明:
“高压半导体器件短期失效模型的建模方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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