本发明提供了一种先驱体加入纳米Si粉制备净SiC陶瓷的方法。所述方法包括以一定质量比的SiC陶瓷粉,纳米Si粉以及SiC陶瓷先驱体通过共混无压烧结进行制备。传统的碳化硅陶瓷材料采用加压成型烧结或热压烧结进行,对设备的要求较高,工艺复杂成本昂贵,且加工性能差。相比较传统碳化硅陶瓷制备方法,采用先驱体作为粘结剂制备SiC陶瓷得到了广泛的关注,此方法工艺简单,烧结温度低,对设备要求低,成本低廉;但是先驱体在裂解过程后得到的产物为非化学计量比的SiC非晶,一般情况下会有较多的裂解碳残留,对材料的高温性能影响较大。针对这个缺点,本方法通过在体系中加入纳米Si粉与裂解碳进行反应生成SiC,最终得到了符合化学计量比的SiC陶瓷。
声明:
“先驱体加入纳米Si粉制备净SiC陶瓷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)