安徽有色金属加工设备

区域熔融纯化设备 461     

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区域熔融纯化设备衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用电阻丝为加热元件。加热元件与炉管平行，均匀地分布在炉管外，有效的保证了温场的均匀性。测温采用性能稳定、长寿命的“K"型热电偶，直接和式样接触，以提高控温的精确性。该设备采用PLC控制程序实现炉体移动与温度控制同步，当设备达到设定温度点后，炉体在PLC控制的电机驱动下，开始移动，碰到限位开关后自动返回(返回过程中炉体自然降

煅烧炉 464     

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煅烧炉，集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，加热元件为优质硅碳棒。石英腔体横穿于炉体中间作为炉管，炉管两端用不锈钢法兰密封，工件式样在腔体内加热，加热元件均匀分布于腔体下侧，有效的保证了温场的均匀性。测温采用适用于高温环境的“S"型热电偶。煅烧炉能够快速开启，快速升降温，方便客户对特殊材料的装载，烧制和观察。炉体的控制面板配有智能温度调节仪，控制电源开关、主加热工作/停止按钮，工作状态指示灯，以便随时观察本系统的工作状态。

立式高温淬火炉 447     

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立式高温淬火炉如图所示，集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用电阻丝为加热元件，用于催化剂焙烧，方便催化剂装填和转移。石英玻璃管横穿于炉体中间作为炉膛，炉管上端用选用不锈钢法兰密封，下端可用根据用户要求使用橡胶塞隔热，配有不锈钢双层托架，可放置样品。工件式样在管中加热，加热元件与炉管平行，均匀地分布在炉管外，有效的保证了温场的均匀性。测温采用性能稳定、长寿命的“K”型热电偶，直接和式样接触，以提高控温的精确性。

石墨烯制备设备双温区滑轨式CVD系统 435     

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该石墨烯制备设备双温区滑轨式CVD系统系统由预热炉、双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。CVD(化学气象沉积系统)常用于表面材料生长、沉积，是一款实验室常用设备。

碳纳米膜制备设备 428     

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碳纳米膜制备设备，由气体质量流量计控制系统、液体注液系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统，红外烘干系统等组成。生长炉的最高温度1400℃，并可在0-1400℃之间连续可调，垂直式分布热场，三点控温(三段长度平均分配)，设备顶部设有注液口、导流器。炉体采用双层壳体结构并带有风冷系统，保温材料为加厚型，壳体表面温度小于60℃。采用高纯氧化铝管作为炉膛材料，加热元件为优质硅碳棒。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点。

浇注机 545     

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本设备由浇注机车体(包括纵向驱动装置)、倾转机构(包括横向移动装置)、换包机动辊道、随流孕育装置、车上机动辊道、浇包、操作室(包括电气控制柜及操纵台)等组成。可配套各种形式的铸造生产线使用。

高温钟罩炉 1814     

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高温钟罩炉设计用于陶瓷材料、电子元件、磁性材料、粉末冶金等产品的排胶、预烧和烧成，也可用于特种电子陶瓷元件在保护气氛下烧结之用。该电阻炉热工材料选用高品质的节能型进口泡沫砖和纤维制品砌筑而成，加热元件1800型优质硅钼棒加热，硅钼棒四面布置。控制仪表选用日本进口64段程序控制仪表，设备具有控温稳定、性能优越、能耗较低、炉膛洁净等优点，非常适合企业中、小批量生产和科研之用。

高温箱式炉 1725     

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设备型号：GXL-15 最高温度：1600℃ 使用温度：RT～1500℃ 炉膛有效容积：200×185×400mm(W×H×D) 炉膛材料：进口氧化铝、高铝和硅酸铝纤维制品 加热元件：优质U型硅钼棒（1800型） 控温点数：1个（B分度热偶） 控温精度：±1℃ 温度均匀性：±5℃（温度1000℃以上，有效区域为炉膛浓缩10%） 温控系统：日本进口64段程序控温仪表，PID参数自整定，超温、断偶报警等保护。 最大加热功率：约12kW 空炉保温功率：约5Kw 供电电源：三相电源，50HZ ，380V±10%；15KW 炉体表面温升： ≤35℃

石墨烯生长专用设备——双温区滑轨CVD系统 2127     

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滑轨式快速升降温炉是专为生长薄膜石墨烯研制的，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验，操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。