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金属硅的物理提纯方法

1034   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:35:02
本发明公开的金属硅的物理提纯方法,步骤为:将经过清洁的金属硅放入退火炉中,加热至1100~1300℃,保温10~50分钟,以0.1~2℃每分钟的速率降温至700~1000℃,保温30~150分钟,以0.1~2℃每分钟的速率降温至250~350℃,之后随炉冷却,浸泡在盐酸和氢氟酸等体积混合溶液中1~5个小时,即可。本发明利用了磷吸杂原理,在金属硅表面形成磷吸杂层,对金属硅中的金属进行吸杂处理。工艺流程简单,低能耗,低成本,无污染排放,生产效率高,产率高,通过此方法提纯可以得到纯度为4~5N的金属硅材料,可以作为太阳能电池用硅材料的原料。
声明:
“金属硅的物理提纯方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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