权利要求
1.利用多晶硅切割废料在低温下制备SiO2-Si3N4复合陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将多晶硅切割废料纯化处理，得到纯化后的多晶硅切割废料，其中Si纯度为2N级别；
(2)多晶硅切割废料的氮化处理：
在步骤(1)得到纯化后的多晶硅切割废料中加入稀释剂，球磨混合后，进行气氛氮化，氮化反应后得到氮化产物；
(3)SiO2-Si3N4复合陶瓷的氨化烧制
将步骤(2)中的氮化产物用研钵研磨，添加一定比例的SiO2、C、烧结助剂，球磨至物料混匀，烘干物料，冷等静压成型得到氨化前样品；在气氛管式炉设备中通入氨化气体后，程序升温至氨化反应的温度，恒温反应一段时间，氨化反应结束后，程序降温到室温，得到SiO2-Si3N4复合陶瓷。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，多晶硅切割废料的纯化处理过程为：多晶硅切割废料经烘干、粉碎、冲洗杂质、再次烘干、研磨、过筛得到粉体的过程。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述稀释剂为α-Si3N4或β-Si3N4，添加量不超过纯化后的多晶硅切割废料质量的20％。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述氮化反应中，氮化气体为氮气或氮氢混合气中的一种，其中，氮氢混合气中，氮气和氢气的体积比在75:25-95:5之间。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述氮化反应中，氮化设备采用程序控温的气氛管式炉，确保炉内温度以1-5℃/min的速度升温至1200-1450℃，然后恒温0.5-2.5h。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，氮化产物用研钵研磨至300目以下。
7.如权利要求1所述的方法
声明：
“利用多晶硅切割废料在低温下制备SiO2-Si3N4复合陶瓷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1045
编辑：中冶有色网
来源：江苏大学
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年05月08日 ~ 10日 
