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可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构

858   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:21
本发明公开了一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构,陶瓷外壳内设置有第一镀金的金属化芯区及第二镀金的金属化芯区,第一镀金的金属化芯区上设置有上桥臂半导体芯片,第二镀金的金属化芯区上设置有下桥臂半导体芯片;陶瓷外壳的端面上设置有凹槽结构,引片结构插入于凹槽结构内,且引片结构与陶瓷外壳之间通过密封件密封,引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连接,陶瓷外壳内部为真空结构或者充有惰性气体。该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
声明:
“可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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