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半导体氮化碳薄膜的制备方法

1141   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:57:03
本发明涉及一种半导体氮化碳薄膜的制备及转移方法,以三聚氰胺作为前驱体,通过化学气相沉积工艺,在多种基底材料表面制备半导体氮化碳薄膜或氮化碳/碳复合薄膜,其制备工艺简单,原料成本低,制备的氮化碳薄膜容易转移到任意基底材料表面;所制备的薄膜连续性好,厚度均匀,在光电探测器中显示出极快的响应速度,在电催化析氢反应中显示出较高催化活性;此外,这种氮化碳薄膜可用于构建柔性半导体器件(如发光二极管,太阳能电池),储能器件(如离子电池,钠离子电池,燃料电池)和催化电极等。
声明:
“半导体氮化碳薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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