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HT-TL-CGF是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr。此款单晶炉特备适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
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台车升降式高效烧结炉，是同时实现脱脂、烧结和废气处理的一款炉型。采用台车升降、炉体双层设计的结构。炉膛采用四面加热（前后左右），加热原件分布在炉膛四周，从而实现炉内的良好均匀性。炉膛内衬采用高温陶瓷纤维板，原料为氧化铝多晶纤维，多层方式设计，降低热损，提高加热效率。
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小型分体式磁控溅射仪是一款小型的单靶磁控溅射镀膜仪，配有一个2英寸的磁控等离子溅射头。射频等离子电源和高压直流电源两种电源可选，用于镀膜各种薄膜材料。单靶射频磁控溅射仪体积小巧，功能出色、配置齐全，兼容超净间，性能稳定。可用于制备高质量的金属薄膜、半导体薄膜、介电、绝缘材料薄膜以及复合薄膜、多层异质结等，广泛应用于材料科学、电子工程、光学、航空航天等领域。
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HT-RLF是一款小型真空热电弧熔炼炉，用于熔炼小量高温难融金属(2000°)。双钨电极最大可引入200A电流，一根电极连接不锈钢坩埚，一根电极插入石墨坩埚内，这通过一个低压直流电源加热，石英管外围由电阻炉辅助加热，保证坩埚的温度均匀性。法兰上端带有2次加料系统，可在真空熔炼过程中进行二次加料。 此炉用于钕等稀有金属合金少量样品的制备。
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HT-1800C是一款高温管式炉，其内膛中嵌有Zr02的内衬，加热元件采用硅钼棒。仪器标配中含有一套不锈钢真空法兰(法兰上安装有不锈钢针阀和机械压力表)和一根高纯氧化铝炉管(60mmO.Dx 1000 mmL)。控温系统采用PID50段程序化控温，控温精度可达到±1℃。
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HT-1600C是一款高真空超洁净气氛炉，最高加热温度可达1600℃-1800℃，极限真空度为10-5Torr(需配套分子泵使用)，全水冷不锈钢炉体内采用钨带加热，外层为钨多层反射板进行隔温，炉内为全金属材质组成，拥有高洁净度，低放气量的优点，使得该炉在高温下可获得较高真空度，并目拥有很高的洁净度。
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HT-2300C是一款感应加热的卧式管式炉，最高温度可达2300℃，可以在真空和气氛保护下使用，可以在内部放置一根⌀26mm的刚玉管（最高耐温1700℃），用于在空气、水蒸气或氧气气氛下使用。
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