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湖南怀化有色金属真空冶金技术理论与应用

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芯片交替布置无键合双面散热碳化硅MOSFET模块及制作方法

本发明涉及一种芯片交替布置无键合双面散热碳化硅MOSFET模块,模块由上、下碳化硅MOSFET芯片,上、下DBC基板,导电垫块,纳米银焊膏,高温焊料,功率端子,信号端子,硅凝胶和环氧树脂组成。本发明通过纳米银焊膏将碳化硅MOSFET芯片分别焊接在上下DBC基板的覆铜层,同时对芯片表面电极做了镀金处理,通过导电垫块实现芯片表面电极与外部的电气连接,利用高温焊料将功率端子和信号端子从DBC基板的覆铜层引出。本发明用垫块完全取代了模块中的键合线,减小了寄生电感,提高了模块的可靠性。同时通过将芯片分别焊接在上、下DBC基板,实现双面散热的同时减小了芯片之间的热耦合效应,降低了模块的整体热阻。

标签:
真空冶金
湖南 - 怀化 来源:中冶有色技术网 2023-03-18
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