权利要求书： 1.一种高延伸性电解铜箔，其特征在于：该电解铜箔沿其厚度方向存在多个晶粒，晶粒尺寸范围为0.5?20微米；晶粒内部存在多个孪晶片层，平均孪晶片层厚度的范围为0.25?10微米；所述高延伸性电解铜箔的制备方法为：首先通过直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔，再对纳米孪晶铜箔进行退火处理，即获得所述高延伸性电解铜箔；所述退火处理过程中，退火温度为300?600℃，时间为2?200分钟；退火过程中使用氩气或氮气作为保护气氛；所述直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔的过程中，所用电解液组成如下：硫酸铜90 150g/L；~明胶30 50mg/L；~HCl30?70mg/L；水余量；2所述直流电解沉积技术工艺参数为：采用恒电流模式，电流密度5?150mA/cm ，电解沉积时间3min 20h，温度5 40℃；电解液用浓硫酸调节pH值为0.5 1.5；~ ~ ~所述直流电解沉积过程中，阳极选用铱钽钛电极，阴极为纯Ti板，阴极与阳极之间的间距为60 140mm，阳极与阴极面积比为（2 10）:1。~ ~2.按照权利要求1所述的高延伸性电解铜箔，其特征在于：电解铜箔的厚度为3?100μm。3.按照权利要求1所述的高延伸性电解铜箔，其特征在于：该电解铜箔的纯度为99.995±0.005%，室温条件下拉伸延伸率为5?40%，抗拉强度为100?500MPa。 说明书： 一种高延伸性电解铜箔及其制备方法技术领域[0001] 本发明涉及覆铜板用电解铜箔制备技术领域，具体涉及一种高延伸性电解铜箔及其制备方法。背景技术[0002] 铜箔是现代工业的关键基础材料之一，按照用途主要分为覆铜板(PCB)用铜箔和离子电池用铜箔。覆铜板作为电子元器件的“神经”，铜箔是覆铜板的关键材料，在电子元器件中发挥支撑作用。随着社会的高度发展，电子设备逐步向普及化、智能化、微型化、柔性化方向发展，对铜箔的需求和性能要求越来越高。中国铜箔产量迅速增加，到2017年时，中国铜箔产量占全球总量的比值已达到72.1％。但是，令人担忧的是，目前大多数的高端铜箔仍由国外垄断，成为了国内的“卡脖子”技术。比如，国内柔性覆铜板(FCCL)用铜箔基本被日本铜箔生产企业垄断，国内铜箔生产商仍未取得突破性进展。[0003] 柔性覆铜板由
声明：
“高延伸性电解铜箔及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：中国科学院金属研究所
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2025年06月20日 ~ 22日 
