权利要求书： 1.一种微粗糙电解铜箔，其包含：一微粗糙面，该微粗糙面具有多个无铜瘤区和多个排列铜瘤区，一部分的无铜瘤区分布于所述多个排列铜瘤区之间；多个铜瘤，所述多个铜瘤是形成在该微粗糙面上且位于所述多个排列铜瘤区中，所述多个铜瘤不位于所述多个无铜瘤区中，且各排列铜瘤区中的所述多个铜瘤是沿着一方向排列形成在该微粗糙面上；2其中，在面积为120μm的微粗糙面中，所述多个无铜瘤区的数量为5个以上，各无铜瘤区2的面积大于或等于62500nm ，各排列铜瘤区的长度为300nm至2,500nm，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的平均宽度为10nm至300nm，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的数量为3至50个。2.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中所述多个无铜瘤区的数量为10个至100个。3.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中各无铜瘤区的面积为大于或等于250nm×250nm。4.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中各无铜瘤区的面积为大于或等于500nm×2250nm，在面积为120μm的微粗糙面中，面积大于或等于500nm×250nm的所述多个无铜瘤区的数量为10个至50个。5.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的平均宽度为10nm至200nm。6.如权利要求5所述的微粗糙电解铜箔，其中各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的数量为3至10个。7.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中所述微粗糙面的Rlr值为1.05至1.60。8.如权利要求7所述的微粗糙电解铜箔，其中所述微粗糙面的Sdr为0.01至0.08。9.如权利要求7所述的微粗糙电解铜箔，其中所述微粗糙面的Rlr值为1.10至1.30，该微粗糙面的Sdr为0.010至0.023。10.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中所述微粗糙面的Sdr为0.01至0.08。11.一种铜箔基板，其包含如权利要求1至10中任一项所述的微粗糙电解铜箔及一基材，该基材与微粗糙电解铜箔压合。12.如权利要求11所述的铜箔基板，其中该铜箔基板于4GHz的介入损失为?0.26dB/in至?0.32dB/in。13.如权利要求11所述的铜箔基板，其中该铜箔基板于8GHz的介入损失为?0.41dB/in至?0.51dB/in。14.如权利要求11所述的铜箔基板，其中该铜箔基
声明：
“微粗糙电解铜箔以及铜箔基板” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
925
编辑：管理员
来源：金居开发股份有限公司
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年05月08日 ~ 10日 
