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铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法

953   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 14:59:03
本发明涉及一种铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法,具体通过Cr掺杂在宿主材料AgGaS2的阳离子Ga位,以此形成的半导体化学分子式为AgGa1‑xCrxS2,式中0.008太阳能电池的光电转换效率和光解水制氢活性,因此本材料有望改进传统半导体光学效率低下的问题,并有望成为新一代光催化制氢材料。
声明:
“铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
         
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