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光敏薄膜晶体管及其制备方法

1341   编辑：管理员   来源：中冶有色网  
2023-03-01 01:00:07
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种光敏薄膜晶体管及其低温制备方法。本发明光敏薄膜晶体管采用钙钛矿量子点作为光敏材料，通过改变钙钛矿量子点中卤族元素的比例，可以使器件对不同波长的光产生响应；同时，该光敏薄膜晶体管所制备方法含括：原子层沉积制备Al2O3栅介质，磁控溅射生长非晶铟镓锌氧化物（a‑IGZO）沟道层，旋涂法制备钙钛矿量子点，电子束蒸发制备源漏电极；所有工艺长温度均不超过40℃，且器件制备过程中无需进行热处理，即可得到高性能光敏薄膜晶体管。本发明可应用于柔性电子和光电探测等领域。
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“光敏薄膜晶体管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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