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高占空比背照式GaN探测器阵列及其制作方法

975   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 07:28:47
本发明属于探测器阵列的制作工艺技术领域,具体涉及一种高占空比背照式GaN探测器阵列及其制作方法,所述制作方法包括在GaN外延片上溅射Ni/Au层;在所述Ni/Au层上采用等离子体增强化学的气相沉淀法PECVD生长SiNx/SiO2膜;在所述SiNx/SiO2膜上涂覆光刻胶层;曝光显影,采用接触式曝光模式曝光探测器GaN外延片;采用电磁耦合等离子体ICP方法刻蚀SiNx/SiO2膜;采用电磁耦合等离子体ICP方法刻蚀GaN层;采用氢氟酸去除SiNx/SiO2膜及残余光刻胶;本发明本发明具有成本低、效率高、制作工艺简单等优点,在制作背照式GaN探测器阵列的技术领域内有突出的技术优势。
声明:
“高占空比背照式GaN探测器阵列及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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