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改善集成电路制程中硅位错的方法

963   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:17:30
本发明公开了一种改善集成电路制程中硅位错的方法,包括以下步骤:A)用氧化法生长第一栅氧化层;B)在第一栅氧化层上用化学气相沉积法沉积预定厚度的第二栅氧化层;C)通过电性测量仪器调整第一和第二栅氧化层的厚度,使MOS器件的电性参数符合制程要求。本发明可有效减少硅位错,降低集成电路芯片的泄露电流,从而提高集成电路芯片的良率。
声明:
“改善集成电路制程中硅位错的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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