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一维硫硒化镉半导体纳米线的制备方法、纳米线及器件

1139   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:23:03
本发明公开了一种一维硒化镉半导体纳米线的制备方法,包括:在衬底上沉积一金属催化剂薄膜;在保护气存在下,均匀混合硫化镉和硒化镉;将沉积催化剂薄膜的衬底和混合的硫化镉与硒化镉进行加温,通过化学气相沉积方法得到纳米线。采用化学气相沉积的方法能够大面积批量生长,可有效控制半导体纳米线的生长方向、长度,并显著提高其载流子迁移率。制备的光电探测器性能优异。
声明:
“一维硫硒化镉半导体纳米线的制备方法、纳米线及器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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