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SiC MOSFET驱动器的短路保护电路

1011   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 09:00:49
本发明提供一种SiC MOSFET驱动器的短路保护电路,包括温度检测电路和控制电路;温度检测电路与SiC MOSFET连接,用于采集SiC MOSFET所在的散热器的温度,并将采集的温度转换为电压信号;控制电路用于基于电压信号和预设的电压偏差确定基准电压,控制电路还与SiC MOSFET连接,用于检测SiC MOSFET的SiC MOSFET漏极和源极之间的电压,并基于检测的电压和基准电压对SiC MOSFET进行控制,实现SiC MOSFET的导通或关断,本发明能够对SiC MOSFET进行精准保护,不易误动作,保护能力强,避免SiC MOSFET由于结温过高而失效,延长了SiC MOSFET的使用寿命;大大提高了驱动器的可靠性,使驱动器能够可靠驱动SiC MOSFET动作。
声明:
“SiC MOSFET驱动器的短路保护电路” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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