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LSZ-70是郑州蓝硕电子有限公司推出的中频IGBT感应熔炼炉，采用IGBT（绝缘栅双极型晶体管）逆变技术，结合串联谐振电路设计，具备高效节能、熔炼速度快、控制精准等特点。设备适用于小批量金属熔炼场景，覆盖科研实验、贵金属提纯、小型铸造加工等领域。
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HT-MF1400℃实验室真空气氛马弗炉，是一款用于实验室的高温加热设备，主要用于材料科学、冶金学、陶瓷学等领域的研究和实验，能够在真空或特定气氛环境下，样品加热到较高温度，以满足不同实验需求。加热元件为高品质硅钼棒，工作寿命长，炉温均匀性良好;炉壳采用双层风冷结构，炉壳表面温度低于50度，采用智能化控温系统，控温精度高，可自动升温、保温、降温。
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HT-SKF上开门马弗炉采用集成化模块控制单元，控制精度准确，并设计了双回路控制和双回路保护，具备了过冲、超调、欠调、段偶、缺相、超压、超流、超温、电流反馈、软启动等保护、出现上述异常情况,系统声光报警提示并具备相应的连锁保护，系统具有自诊断功能。是高校、科研院所、工矿企业作高温烧结、金属退火、质量检测用的高温烧结设备。
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STATF-1200-II-PE-RRW等离子增强卷对卷线材连续制备石墨烯系统是一款等离子增强卷对卷线材连续制备石墨烯机，可用于线材的连续化热处理工艺中，如石墨烯批量生产、碳纤维制备、合金及其他材料线材改性处理等应用中。
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HT1200管式真空加热炉采用轻质陶瓷纤维精制炉膛，由两个半圆形炉体合成，开启方便，专门设计用于对物料需要预抽真空条件下进行烧结;加热元件采用含钼合金加热丝，加热速率快，耐高温、抗氧化、耐腐蚀、升温快;智能PID30段控温，控温精度高;真空密封法兰，真空法兰和石英炉管的气密性最高可达4.03×10-3Pa。
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HT-MHF是一款小型混合箱式管式炉，作为单纯的箱式炉可对样品在空气环境下进行热处理，作为管式炉可对样品在真空或气氛保护环境下进行热处理，可50段可编程温度控制器，炉膛采用高纯氧化铝纤维材料，控温精度+1度。该炉具有体积小、重量轻、升降温度速度快、节能等优点。此设备还可放到手套箱内在真空和可控气氛下烧制样品，是高校、科研院所、工矿企业做高温烧结，金属退火、质量检测用的产品。
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HT-1200℃管式炉引进先进技术，自主研发生产的节能、环保、新型电炉。专为专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业对陶瓷、冶金、电子、玻璃、化工、机械、耐火材料、新材料开发、特种材料、建材、金属、非金属及其它化和物材料进行烧结﹑融化﹑分析、生产而研制的专用设备。
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设备主要用于科研对晶体生长过程的探索，可用于制备氧化物单晶和金属单晶晶体制备，如蓝宝石、GGG，YAG，LaAlO3，Si和Ge等。
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X荧光光谱分析专用自动熔样机是“X荧光分析仪”熔样测试法专业配套设备，可广泛应用于钢铁、冶金、化工、地质、水泥、陶瓷、耐火材料等行业的样品熔融片制备，采用触摸屏显示控制，操作简便，自动化程度高，具有升温快、控温精度高，节能、运行稳定的特点。温度更可高达1300℃，炉体前后摆动和样品架自旋设计，确保样品熔融体的涡流式运动，对难熔物质也具有优良的熔融效果，熔制样片重现性好，各项指标性能优越，是XRF分析光谱仪的得力助手和测试仪器。
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工业型隔热屏钼带真空钎焊炉是一种大型卧式工业炉，可实现内部淬火、真空热处理和钎焊，具有高温、高真空间歇式工业用炉，可用于用于工业批量热处理、钎焊、应力消除、正火、退火、回火、烧结、脱气、低压渗碳等工艺。广泛应用于汽车、电子、国防、航天、航空领域。
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真空炉主机为卧式、单室结构，它有真空炉体、前后炉盖、加热室、真空系统、充气系统、气动系统、水冷系统、电气控制系统等组成。 产品特点： 能够实现仪表控...
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1200℃隔热屏真空钎焊炉炉膛采用耐温不锈钢，炉膛干净不会对材料产生污染，耐用，拉伸强度高，加热元件采用钼带为加热元件。双层壳体结构，炉体和炉门配有循环水冷系统，可快速冷却炉体侧开式炉门结构。满足生产和研发的不同需求。
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真空炉主机为卧式、单室结构，它有真空炉体、加热室、真空系统、充气系统、气动系统、水冷系统，含氧量检测系统，电气控制系统等组成。
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等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种利用辉光放电(等离子体)反应生成含有气态物质的薄膜的薄膜生长技术。该系统由高功率射频电源、真空系统、管式炉组成，配备喷淋塔、活性炭箱，满足尾气处理的需要。该设备是为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解、离解和离化，从而大大提高了反应物的活性
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这款CVD管式炉广泛用于样品在真空和气氛条件下的烧结、涂层、纳米管研究、钎焊、退火等实验，适用于高校、研究机构实验室和工矿企业进行CVD工艺的科研和实验。
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主要用于稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等工业真空烧结、保护气氛烧结、CVD实验、真空沉积、材料成分测定场合。
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这款CVD炉可用于碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
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2025年11月21日 ~ 23日 
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