有色金属材料制备及加工设备

全纤维台车式电阻炉 320     

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全纤维台车式电阻炉主要用于高锰钢铸件、球墨铸铁、轧辊、钢球、45钢、不锈钢等淬火、退火、时效以及各 种机械零件热处理之用。

大型台车式回火炉 263     

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大型台车式回火炉（以下简称电炉），主要供一般大、中型金属或合金机件在额定温度下热处理之用。

全纤维高温台车炉 315     

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用途：主要用于高铬、高锰钢铸件、球墨铸铁、轧辊、钢球、45钢、不锈钢等1200℃以下淬火、退火以及各种机械零件热处理之用。

燃气式台车炉 314     

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燃气台车炉是以燃烧天燃气等可燃气体为主要加热方式，主要用于齿轮、模具、各种锻件坯料、锻打前快速加热，也可用于各种机械零件淬 火、正火、退火等热处理。我公司设计制造燃气台车炉，结构及管道设计先进的多点燃烧方式，上位机全自动控制炉内温度，控温精度和均 温度高。

全钎维台车式电阻炉 316     

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全钎维台车式电阻炉主要用于高铬、高锰钢铸件、球墨铸铁、轧辊、钢球、45钢、不锈钢等淬火、退火、时效以及各种机械零件热处理之用。

双炉门台车炉 467     

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用途：主要用于高铬、高锰钢铸件、球墨铸铁、轧辊、钢球、45钢、不锈钢等淬火、退火、时效以及各种机械零件热处理之用。

双头台车式电阻炉 249     

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双头台车式电阻炉用途：各种金属机件和材料的回火、淬火、预热等热处理。

翻转式台车炉 462     

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RT3系列翻转式台车式电阻炉的台车采用防撞击密封砖，自动翻砖机构，自动密封台车和炉门，一体化连轨，不需基础安装，放在水平地面与基础垫铁或膨胀螺丝固定即可使用。主要用于高铬、高锰钢铸件、球墨铸铁、轧辊、钢球、45钢、不锈钢等淬火、退火、时效以及各种机械零件热处理之用。

大型台车燃气炉 567     

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大型台车燃气炉炉属周期作业式电阻炉，主要供轧辊或其它合金钢件在低于1200℃以下加热之用。

低温台车炉 442     

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1、台车行走及炉门升降均为电动、劳动强度小； 2、炉衬采用新型复合炉衬，积蓄热少，加热均匀；

台车加热炉 453     

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台车加热炉属于周期式作业炉，采用复合纤维保温，超轻质高强度微珠真空球砖，独家生产防掉丝上斜20°搁丝砖，炉口防工件撞击砖，自动密封台车和炉门，一体化连轨，不需基础安装，放在水平地面即可使用。主要用于高铬、高锰钢铸件、灰口铸铁件、球墨铸铁件、轧辊、钢球、破碎机锤头、耐磨衬板淬火、退火、时效以及各种机械零件热处理之用。

台车回火炉 255     

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台车回火炉主要供一般大、中型金属或合金机件在额定温度下热处理之用的回火炉，也可用于高铬铸钢轧辊回火、轧辊表面焊接修复后消除焊接应力回火及其他用途回火,属于周期作业回火炉,采用微电脑程序工艺曲线自动控温柜,全自动高精度执行较好的回火工艺曲线。

大型高温台车炉 543     

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大型高温台车炉主要适用于钢厂、特钢、机械加工、化机、重工、冶金冶炼、铸造、锻造、法兰环件、钢构件、拉丝、环保设备、机械配套企业、装载机、柴油机、等行业的热处理车间高温加热用。

PECVD带尾气处理装置 286     

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等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种利用辉光放电(等离子体)反应生成含有气态物质的薄膜的薄膜生长技术。该系统由高功率射频电源、真空系统、管式炉组成，配备喷淋塔、活性炭箱，满足尾气处理的需要。该设备是为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解、离解和离化，从而大大提高了反应物的活性

CVD管式炉 468     

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该CVD管式炉适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、材料的气氛烧结等实验。主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。

1100度CVD管式炉 290     

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这款CVD管式炉广泛用于样品在真空和气氛条件下的烧结、涂层、纳米管研究、钎焊、退火等实验，适用于高校、研究机构实验室和工矿企业进行CVD工艺的科研和实验。

自动压力控制CVD管式炉 296     

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主要用于稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等工业真空烧结、保护气氛烧结、CVD实验、真空沉积、材料成分测定场合。

三温区CVD管式炉 263     

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该设备适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。

LCD触摸屏CVD高温炉 269     

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这款CVD炉可用于碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

化学气相沉积系统 351     

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适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

PECVD旋转管式炉 592     

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适用于粉体材料的表面薄膜沉积，在超大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。

管式PECVD等离子气相沉积系统 277     

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PECVD等离子气相沉积设备是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜, 该系统主要用于金属粉末镀膜。

两通道CVD系统 296     

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本CVD系统带水冷法兰双路流量计并配有双极旋片泵、水冷机、数字真空计且该CVD系统可抽真空、通气氛，该设备适用于各种CVD实验。

CVD 化学气相沉积系统 475     

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CVD 管式炉系统由：管式炉加热区系统，质子流量计供气系统，真空系统和气体定量系统组成。适用于 CVD 工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基 片导电率测试、ZnO 纳米结构的可控生长、陶瓷电容 (MLCC) 气氛烧结等实验。

六通道PECVD设备 353     

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该pecvd设备是由管式炉真空泵和六通道质量流量计气体流动系统组成的。它可以混合1-6种气体用于PECVD或扩散。

高温CVD系统 283     

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主要用于真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境。适用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。

三温区CVD系统 275     

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此款多温区CVD系统是由多通道高精度的质量流量计、低真空机组以及1200度高温管式炉组成。该CVD化学沉积系统广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域。

卷对卷PECVD设备 355     

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整套体系可在真空/气氛保护环境下工作。 收放卷机构转速从1~400mm/min可调,机构采用反馈调节，可自动纠正转速偏差，保证样品的速度稳定不走样。

PECVD系统 420     

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适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。

1200℃PECVD系统 517     

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该PECVD管式炉度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。