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生长在Si衬底上的AlGaN薄膜及其制备方法和应用

972   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:17:30
本发明公开了生长在Si衬底上的AlGaN薄膜,其包括Si衬底和在Si衬底上外延生长的AlGaN薄膜;所述Si衬底的晶体取向为111面偏100方向0.5-1°;经过采用脉冲激光沉积工艺生长AlGaN薄膜、采用金属有机化学气相沉积工艺生长Al原子层、对Al原子层进行氮化处理、衬底以及其晶向的选取等步骤制备而成。所述AlGaN薄膜应用于光电探测器或LED器件中。本发明解决Si衬底上GaN薄膜的裂纹问题的同时提高AlGaN薄膜的质量、纯度和界面性能,并降低工艺成本。
声明:
“生长在Si衬底上的AlGaN薄膜及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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