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锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法

956   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:23:04
本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法,属于无机半导体纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS2二维晶体的制备方法为:以MnO2、NaCl、WO3、S为原料,在三温区管式炉里面以Si/SiO2为基底,通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS2二维晶体。本实验室生长的本征WS2形貌多为规则的正三角形,Mn掺杂后的WS2样品的光学图像出现明显的衬度差,并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单,成本低廉,对仪器设备要求低,合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
声明:
“锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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