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无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法

1037   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:58:00
本发明公开了一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法,首先在不同温度下,测量模块温度均匀时的阈值电压和开通延迟时间,获得校温曲线库;然后在模块工作条件下,测量阈值电压和开通延迟时间;最后将测量值与校温曲线库进行对比,分别获得模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。IGBT芯片并联是提高大容量变换器输出电流的有效途径,然而,各个芯片散热条件的差异将会导致IGBT模块并联芯片中芯片温度不均匀,造成模块的静态不均流和动态不均流,严重影响模块的开关特性,导致某个芯片在开通关断瞬间承担过大电流,极易烧毁芯片,影响整个模块可靠运行;本方法可以测量模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。
声明:
“无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
         
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