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CMOS器件极限低温特性评价方法

1326   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 09:01:44
本发明提供了一种CMOS器件极限低温特性评价方法,包括以下步骤:步骤1:确定被测CMOS器件与测试参数;步骤2:搭建极限低温测试平台;步骤3:开展常温测试与极限低温测试;步骤4:确定CMOS器件极限低温下的关键参数;步骤5:建立以关键参数表征的CMOS器件应力强度干涉模型;步骤6:计算CMOS器件极限低温失效概率。该方法考虑到在极限低温环境下CMOS器件会出现载流子冻析效应,造成器件的性能参数漂移甚至失效,搭建了一套极限低温测试平台对CMOS器件开展极限低温测试,并根据测试结果,使用应力强度干涉模型评价CMOS器件的极限低温特性,计算出CMOS器件极限低温下的失效概率,此方法弥补了CMOS器件低温测试及评价方面的技术空白,且利于推广实现。
声明:
“CMOS器件极限低温特性评价方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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