1.本发明涉及属于电路板(pcb)领域，具体涉及一种含银废水处理装置及方法。
背景技术：
2.电镀工业废水中镀银是会产生高浓度的含银废水，废水中的银以离子的形式存在着且浓度非常高。如若不除去废水中的银并回用，一方面会极大的影响周围的环境；另一方面，银是贵重金属直接废弃过于浪费。含银废水中回收银的方法主要有沉淀法、电解法、还原取代法、离子交换法和吸附法。
3.现有技术中，cn113277641a公开了一种含银离子废水的处理系统及方法。这种含银离子废水的处理系统包括依次相连的原水槽、砂滤塔、袋式过滤器、离子交换树脂塔、清水槽，在离子交换树脂塔前增加砂滤塔、袋式过滤器两级过滤，确保后续离子交换的稳定性、不中毒及离子交换树脂的纯度。cn207047328u公开了一种含银废水回收处理系统，属于废水回收设备领域，包括含银废液槽和废水站收集池，所述含银废液槽与生产线连通，所述含银废液槽与含银电解槽连通，所述含银电解槽内部安装有阳极棒和阴极板，所述废水站收集池与所述含银电解槽连通。这些现有，虽然能够对废水中的银进行部分回收，但是出水仍然难以达到排放要求(《电镀污水排放标准》中规定，执行水污染特别排放限值的区域，车间或生产设施排放口总银需低于0.1mg/l)。
技术实现要素：
4.本发明的目的在于提供一种含银废水处理装置及方法，该装置能够快速高效的去除电镀废水中的银，为后续除镍操作做好准备，能够达到更好的净化效果。
5.为达此目的，本发明采用以下技术方案：
6.一种电路板含银废水处理装置，包括：
7.高级氧化槽，被配置用过氧化氢对镀银液进行高级氧化，包括槽体、orp控制器，所述高级氧化槽的上端还设置有两个接口分别连接至过氧化氢槽和硫酸亚铁槽，通过orp控制器的指示自动向高级氧化槽中添加过氧化氢和硫酸亚铁；槽底连接曝气管；所述高级氧化槽与调整槽之间设置溢流口将废水从高级氧化槽下端流至调整槽上端；所述过氧化氢槽和硫酸亚铁槽还连接自来水管；
8.调整槽，被配置用于调整含银废水的ph值，在所述调整槽和破络槽之间设置溢流口将废水从调整槽下端流至破络槽上端；所述调整槽内设置ph控制器，槽体上端还设置有接口连接至碱槽，用于向调整槽中自动加碱调整ph；所述调整槽、碱槽分别连接曝气管；所述碱槽还连接自来水管；
9.破络槽，包括槽体、orp控制器，所述破络槽的上端还设置有接口连接至次氯酸钠槽，通过orp控制器的指示自动向破络槽中添加次氯酸钠；槽底连接曝气管；用于使氯离子与银离子反应生成氯化银沉淀；所述破络槽和硫化钠槽之间设置溢流口废水从破络槽下端流至硫化钠槽上端；
10.硫化钠槽，所述硫化钠槽的上端还设置有接口连接至硫化钠药槽；硫化钠槽的槽底连接曝气管；用于通过生成更为稳定的硫化银沉淀；所述硫化钠槽的下表面设置排泥口；
11.膜过滤槽，包括槽体、pvdf膜，所述膜过滤槽的上端还设置有接口连接至树脂罐；用于使银沉淀物沉淀分离；
12.树脂罐，被配置用阳离子吸附树脂对银离子进行吸附；
13.各槽体设置进水口和出水口，所述进水口和加药槽的加药管设置在槽体的一角，所述出水口设置在与进水口同一平面的斜对角；进水口的进水流量q、槽体有效容积v
总
与停留时间t之间的关系满足v
总
＝qt的数值比例关系，其中v
总
为槽体有效容积，面积单位cm3；破络槽与调整槽之间的流量计检测得到进水流量q，流量单位l/min；t为停留时间即反应时间，时间单位min。
14.当获取到高级氧化槽的进水流量、orp值后，查询得到所需过氧化氢量和硫酸亚铁量，所述orp控制器控制自动加药高级氧化槽开始高级氧化；
15.当获取到调整池的进水流量、ph后，查询得到所需氢氧化钠量，所述ph控制器控制自动加药调整池开始调整ph；
16.当获取到破络槽的进水流量、ph、orp值后，查询得到所需次氯酸钠量，所述orp控制器控制自动加药破络槽开始破络；
17.当获取到硫化钠槽的进水流量、orp值后，查询得到所需硫化钠量，所述orp控制器控制自动加药硫化钠槽开始反应。
18.进一步的，本技术还包括一种应用于权利要求1所述电路板含银废水处理装置的处理方法，包括：
19.s1：含银水废水进入高级氧化槽，通过orp控制向调整槽中添加过氧化氢和硫酸亚铁进行高级氧化反应；若调整槽的进水量过大导致其容积不够，则通过高级氧化槽之前的球阀调整保证高级氧化时间不少于20min；
20.s2：在含银废水高级氧化后，保持碱槽到调整槽之间的球阀常开，ph控制器控制加碱气动阀，向调整槽中添加naoh以维持ph在9
?
11之间；若调整槽的进水量过大导致其容积不够，则通过高级氧化槽之前球阀调整；
21.s3：调整槽的水溢流至破络槽，并基于进水流量的确定破络槽的破络时间；获取破络槽的进水流量q、破络槽有效容积v、orp值，查询得次氯酸钠加药量，自动加药系统开始加药破络槽开始破络；
22.s4：破络槽的水溢流至硫化钠槽，并基于进水流量的确定硫化钠槽的破络时间；获取硫化钠槽的进水流量q、orp值，查询得硫化钠加药量，自动加药系统开始加药硫化钠槽开始反应；
23.s5:硫化钠槽的水溢流至膜过滤槽，打开膜过滤出水泵抽膜过滤槽的水，并基于进水流量确定膜过滤槽的沉淀时间，通过膜过滤槽进行固液分离；
24.s6:打开膜过滤槽与树脂罐之间的进水泵，使膜过滤槽的水流至树脂罐，树脂进行银离子的吸附，然后树脂中富集的银利用硝酸洗出，返回调整槽沉淀排出。
25.本发明的有益效果：1、操作简单，在调节好ph值、orp值后，自动向池内投加氢氧化钠、硫酸亚铁等药物，整个净化流程简单；2、药剂来源广、价格低以及设备投资少，整个装置中没有高成本的设备；3、处理效果好，在碱性条件下，分批次投加过氧化氢，硫酸亚铁进行
芬顿反应，使氰化银中的银离子氧化释放出来，再经过两级破络反应使络合银中的银离子释放出来，最后经膜池过滤和树脂罐吸附从而达到去除银的目的。
附图说明
26.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
27.图1所示为本发明的电路板含银废水处理装置原理示意图；
28.图2所示为本发明的电路板含银废水处理装置的流程图；
29.图3所示为本发明的电路板含银废水处理装置的结构示意图。
具体实施方式
30.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
31.其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
32.本发明所要解决的技术问题是提供一种处理成本低、运行操作简便、去除率高且稳定的pcb领域的含银废水处理方法以提高处理效果。
33.本工艺设计考虑银为贵金属，同时兼顾线路板废水含络合物较难用简单的沉淀法处理的特点，采用预处理+膜过滤+离子交换树脂吸附，再回收银贵金属的工艺方法。既保证出水的品质，同时兼顾贵金属的回收银与镀银液以络合离子形式存在，高级氧化时间不少于20min，然后调节ph值至9～11投加次氯酸钠破络，破络过程中氯离子与阴离子反应生成氯化银沉淀，投加硫化钠后，生成更为稳定的硫化银沉淀，经膜过滤沉淀物后，出水在离子交换树脂中富集的银利用硝酸洗出返回预处理槽，重金属确保出水ag≤0.1mg/l出水流入一般清洗废水调节池，沉淀物部分排入综合污泥池。
34.参见附图1
?
3所示，本实施例的一种电路板含银废水处理装置，包括：
35.高级氧化槽，被配置用过氧化氢对镀银液进行高级氧化，包括槽体、orp控制器，所述高级氧化槽的上端还设置有两个接口分别连接至过氧化氢槽和硫酸亚铁槽，通过orp控制器的指示自动向高级氧化槽中添加过氧化氢和硫酸亚铁；槽底连接曝气管；所述高级氧化槽与调整槽之间设置溢流口将废水从高级氧化槽下端流至调整槽上端；所述过氧化氢槽和硫酸亚铁槽还连接自来水管；
36.调整槽，被配置用于调整含银废水的ph值，在所述调整槽和破络槽之间设置溢流口将废水从调整槽下端流至破络槽上端；所述调整槽内设置ph控制器，上端还设置有接口连接至碱槽，用于向调整槽中自动加碱调整ph；所述调整槽、碱槽分别连接曝气管；所述碱槽还连接自来水管；
37.破络槽，包括槽体、orp控制器，所述破络槽的上端还设置有接口连接至次氯酸钠槽，通过orp控制器的指示自动向破络槽中添加次氯酸钠；槽底连接曝气管；用于使氯离子
与银离子反应生成氯化银沉淀，所述破络槽和硫化钠槽之间设置溢流口废水从破络槽下端流至硫化钠槽上端；
38.硫化钠槽，所述硫化钠槽的上端还设置有接口连接至硫化钠药槽；硫化钠槽的槽底连接曝气管；用于通过生成更为稳定的硫化银沉淀；所述硫化钠槽的下表面设置排泥口；
39.膜过滤槽，包括槽体、pvdf膜，所述膜过滤槽的上端还设置有接口连接至树脂罐；用于使银沉淀物沉淀分离；
40.树脂罐，被配置用阳离子吸附树脂对银离子进行吸附；
41.各槽体设置进水口和出水口，所述进水口和加药槽的加药管设置在槽体的一角，所述出水口设置在与进水口同一平面的斜对角；进水口的进水流量q、槽体有效容积v
总
与停留时间t之间的关系满足v
总
＝qt的数值比例关系，其中v
总
为槽体有效容积，面积单位cm3；通过流量计检测得到进水流量，流量单位l/min；t为停留时间，即破络时间或高级氧化时间，时间单位min。
42.当获取到高级氧化槽的进水流量、orp值后，查询得到所需过氧化氢量和硫酸亚铁量，所述控制器控制自动加药高级氧化槽开始高级氧化；
43.当获取到调整池的进水流量(通过流量计获得，流量计在图中未示出)、ph后，查询得到所需氢氧化钠量，所述控制器控制自动加药调整池开始调整ph；
44.当获取到破络槽的进水流量(通过流量计获得，流量计在图中未示出)、ph、orp值后，查询得到所需次氯酸钠量，所述控制器控制自动加药破络槽开始破络；
45.当获取到硫化钠槽的进水流量(通过流量计获得，流量计在图中未示出)、orp值后，查询得到所需硫化钠量，所述控制器控制自动加药硫化钠槽开始反应。
46.进一步的，本实施例还包括一种应用于权利要求1所述电路板含银废水处理装置的处理方法，包括：
47.s1：含银水废水进入高级氧化槽，通过orp控制向调整槽中添加过氧化氢和硫酸亚铁进行高级氧化反应；若调整槽的进水量过大导致其容积不够，则通过高级氧化槽之前的球阀调整保证高级氧化时间不少于20min；
48.s2：在含银废水高级氧化后，保持碱槽到调整槽之间的球阀常开，ph控制器控制加碱气动阀，向调整槽中添加naoh以维持ph在9
?
11之间；若调整槽的进水量过大导致其容积不够，则通过高级氧化槽之前球阀调整；
49.s3：调整槽的水溢流至破络槽，并基于进水流量的确定破络槽的破络时间；获取破络槽的进水流量q、破络槽有效容积v、orp值，查询得次氯酸钠加药量，自动加药系统开始加药破络槽开始破络；
50.s4：破络槽的水溢流至硫化钠槽，并基于进水流量的确定硫化钠槽的破络时间；获取硫化钠槽的进水流量q、orp值，查询得硫化钠加药量，自动加药系统开始加药硫化钠槽开始反应；
51.s5:硫化钠槽的水溢流至膜过滤槽，打开膜过滤出水泵抽膜过滤槽的水，并基于进水流量确定膜过滤槽的沉淀时间，通过膜过滤槽进行固液分离；
52.s6:打开膜过滤槽与树脂罐之间的进水泵，使膜过滤槽的水流至树脂罐，树脂进行银离子的吸附，然后树脂中富集的银利用硝酸洗出，返回调整槽沉淀排出。
53.需要声明的是，上述具体实施方式仅仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原
理。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等。但是，这些变换只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。另外，本技术说明书和权利要求书所使用的一些术语并不是限制，仅仅是为了便于描述。技术特征：
1.一种电路板含银废水处理装置，包括：高级氧化槽，被配置用过氧化氢对镀银液进行高级氧化，包括槽体、orp控制器，所述高级氧化槽的上端还设置有两个接口分别连接至过氧化氢槽和硫酸亚铁槽，通过orp控制器的指示自动向高级氧化槽中添加过氧化氢和硫酸亚铁；槽底连接曝气管；所述高级氧化槽与调整槽之间设置溢流口将废水从高级氧化槽下端流至调整槽上端；所述过氧化氢槽和硫酸亚铁槽还连接自来水管；调整槽，被配置用于调整含银废水的ph值，在所述调整槽和破络槽之间设置溢流口将废水从调整槽下端流至破络槽上端；所述调整槽内设置ph控制器，上端还设置有接口连接至碱槽，用于向调整槽中自动加碱调整ph；所述调整槽、碱槽分别连接曝气管；所述碱槽还连接自来水管；破络槽，包括槽体、orp控制器，所述破络槽的上端还设置有接口连接至次氯酸钠槽，通过orp控制器的指示自动向破络槽中添加次氯酸钠；槽底连接曝气管；用于使氯离子与银离子反应生成氯化银沉淀，所述破络槽和硫化钠槽之间设置溢流口废水从破络槽下端流至硫化钠槽上端；硫化钠槽，所述硫化钠槽的上端还设置有接口连接至硫化钠药槽；硫化钠槽的槽底连接曝气管；用于通过生成更为稳定的硫化银沉淀；所述硫化钠槽的下表面设置排泥口；膜过滤槽，包括槽体、pvdf膜，所述膜过滤槽的上端还设置有接口连接至树脂罐；用于使银沉淀物沉淀分离；树脂罐，被配置用阳离子吸附树脂对银离子进行吸附；其特征在于：各槽体设置进水口和出水口，所述进水口和加药槽的加药管设置在槽体的一角，所述出水口设置在与进水口同一平面的斜对角；进水口的进水流量q、槽体有效容积v
总
与停留时间t之间的关系满足v
总
＝qt的数值比例关系，其中v
总
为槽体有效容积，面积单位cm3；通过流量计检测得到进水流量q，流量单位l/min；t为停留时间即反应时间，时间单位min；当获取到高级氧化槽的进水流量、orp值后，查询得到所需过氧化氢量和硫酸亚铁量，所述orp控制器控制自动加药高级氧化槽开始高级氧化；当获取到调整池的进水流量、ph后，查询得到所需氢氧化钠量，所述ph控制器控制自动加药调整池开始调整ph；当获取到破络槽的进水流量、orp值后，查询得到所需次氯酸钠量，所述orp控制器控制自动加药破络槽开始破络；当获取到硫化钠槽的进水流量、orp值后，查询得到所需硫化钠量，所述orp控制器控制自动加药硫化钠槽开始反应。2.根据权利要求1所述的电路板含银废水处理装置，其特征在于：所述高级氧化槽高级氧化时间不少于20min后，将含银废水输入至调整槽中。3.根据权利要求1所述的电路板含银废水处理装置，其特征在于：所述调整槽通过碱槽输入naoh调节ph在9
?
11之间后，将含银废水输入至破络槽中。4.一种应用于权利要求1
?
3之一所述电路板含银废水处理装置的处理方法，其特征在于所述处理方法包括如下步骤：s1：含银水废水进入高级氧化槽，通过orp控制向调整槽中添加过氧化氢和硫酸亚铁进
行高级氧化反应；若调整槽的进水量过大导致其容积不够，则通过高级氧化槽之前的球阀调整保证高级氧化时间不少于20min；s2：在含银废水高级氧化后，保持碱槽到调整槽之间的球阀常开，ph控制器控制加碱气动阀，向调整槽中添加naoh以维持ph在9
?
11之间；若调整槽的进水量过大导致其容积不够，则通过高级氧化槽之前球阀调整；s3：调整槽的水溢流至破络槽，并基于进水流量的确定破络槽的破络时间；获取破络槽的进水流量q、破络槽有效容积v、orp值，查询得次氯酸钠加药量，orp控制器控制naclo自动加药系统加药破络槽开始破络；s4：破络槽的水溢流至硫化钠槽，并基于进水流量的确定硫化钠槽的破络时间；获取硫化钠槽的进水流量q、orp值，查询得硫化钠加药量，orp控制器控制nas自动加药系统加药硫化钠槽开始反应；s5:硫化钠槽的水溢流至膜过滤槽，打开膜过滤出水泵抽膜过滤槽的水，并基于进水流量确定膜过滤槽的沉淀时间，通过膜过滤槽进行固液分离；s6:打开膜过滤槽与树脂罐之间的进水泵，使膜过滤槽的水流至树脂罐，树脂进行银离子的吸附，然后树脂中富集的银利用硝酸洗出返回调整槽沉淀排出。
技术总结
本发明属于电路板(PCB)领域，具体涉及一种含银废水处理方法，包括：高级氧化槽，被配置用于高级氧化；调整槽，被配置用于PH调整；破络槽，所述破络槽用于通过次氯酸钠破络，并在破络过程中氯离子与阴离子反应生成氯化银沉淀；硫化钠槽，所述硫化钠槽用于通过投加硫化钠，生成更为稳定的硫化银沉淀；膜过滤槽，所述膜过滤槽用于固液分离；树脂罐，用于与吸附银离子。所述调整槽内设置PH控制器、破络槽内设置ORP控制器。根据调控制器的控制进行自动加药，依次进行氧化破络反应。该发明同时兼顾线路板废水含络合物较难用简单的沉淀法处理的特点。废水含络合物较难用简单的沉淀法处理的特点。废水含络合物较难用简单的沉淀法处理的特点。
技术研发人员：徐红艳
受保护的技术使用者：徐红艳
技术研发日：2021.09.02
技术公布日：2021/11/2
声明：
“含银废水处理装置及方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色技术网
来源：徐红艳
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2024年06月28日 ~ 30日 
