本发明涉及的是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，属于水处理设备技术领域。
背景技术：
随着半导体工艺技术的迅速发展和生产量的增加，半导体厂排出的含氟废水量急剧地增加。为了防止半导体含氟废水直接排放对环境生态的污染和破坏，必须设法降低废水中的含氟浓度。
半导体含氟废水主要污染指标为ph、f和ss。现有技术的半导体含氟废水处理系统有的采用石灰沉淀法，其处理成本较低，但是处理效果较差，产生的污泥量较多，还涉及石灰残渣的处置问题，且无法满足半导体企业对厂区环境的高要求。
技术实现要素：
本发明提出的是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，其目的旨在克服现有技术存在的上述缺陷，通过设置酸碱调整、除氟、去除ss等流程，实现有效改善处理效果，满足半导体企业对厂区环境的高要求。
本发明的技术解决方案：半导体含氟废水处理系统，其结构包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池；含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。
优选的，所述的一级反应池连接第一naoh加药箱、第一h2so4加药箱和第一cacl2加药箱，一级混凝池连接第二cacl2加药箱，一级絮凝池连接第一pam加药箱，二级反应池连接第二naoh加药箱、第二h2so4加药箱和第一pac加药箱，二级絮凝池连接第二pam加药箱。
优选的，所述的含氟废水调节池内安装搅拌装置。
优选的，所述的放流池设有在线氟离子检测仪。
半导体含氟废水处理系统的处理工艺，包括以下工艺步骤：
1)半导体含氟废水经管道收集后泵入含氟废水调节池；
2)含氟废水调节池中废水经提升泵进入一级除氟反应系统处理，在一级除氟反应系统中，废水首先进入一级反应池，在反应池内投加质量分数40％400mg/l的naoh、质量分数30％200mg/l的h2so调整ph值，并投质量分数20％8262.4mg/l的cacl2作为除氟药剂，反应时间20min；
3)一级反应池出水进入一级混凝池，继续投加质量分数20％8262.4mg/l的cacl2，反应时间20min；
4)一级混凝池出水进入一级絮凝池中，投加质量分数0.1％2.6g/l的pam作为絮凝剂，待其反应20min，使絮体长大、更容易沉淀；
5)一级
声明：
“半导体含氟废水处理系统及工艺的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：江苏源邦环境科技有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
