权利要求
1.一种直拉单晶炉的管道清洁方法，其特征在于，在单晶炉下炉室(1)上端设置配备有真空压力表(3)的不锈钢炉盖(2)，该不锈钢炉盖(2)可拆卸地与单晶炉下炉室(1)密封连接;在单晶炉管道连接真空泵的一端附近增设快速放气阀(4)，该快速放气阀(4)通过电动控制装置(5)对处于负压状态的密闭空间进行快速进气;
在单晶拉制结束后，将不锈钢炉盖(2)与单晶炉下炉室(1)密封连接后，按以下步骤进行管道清洁：
步骤1：开启真空泵将单晶炉下炉室(1)内压强抽至压力表示数为-0.1 MPa;关闭真空泵及真空泵阀门，保压10 min后若单晶炉下炉室(1)内压力表示数基本不变，开启快速放气阀(4)，使外界空气发生迅速倒灌，至压力表示数为0;
步骤2：打开不锈钢炉盖(2)，使用清洁工具对单晶炉下炉室(1)堆积的粉尘及管道口附着的粉尘进行清理;
步骤3：重复以上步骤1、步骤2。
2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉的管道清洁方法，其特征在于，所述不锈钢炉盖(2)的壁厚为12-15mm。
3.根据权利要求1所述的直拉单晶炉的管道清洁方法，其特征在于，所述不锈钢炉盖(2)下沿与单晶炉下炉室(1)上沿形状一致，通过设置密封圈(6)实现不锈钢炉盖(2)与单晶炉下炉室(1)之间的密封连接。
4.根据权利要求1所述的直拉单晶炉的管道清洁方法，其特征在于，在所述不锈钢炉盖(2)带有定位钉(7)，用于插入单晶炉下炉室(1)的定位孔(8)中，以确保不锈钢炉盖(2)与单晶炉下炉室(1)之间紧密贴合。
5.根据权利要求1所述的直拉单晶炉的管道清洁方法，其特征在于，所述步骤1、步骤2的重复次数为5~8次。
6.根据权利要求1所述的直拉单晶炉的管道清洁方法，其特征在于，在单晶拉制结束后，首先使用机械方法对管道内进行清理，再使用权利要求1所述的方法进行清理。
7.根据权利要求6所述的直拉单晶炉的管道清洁方法，其特征在于，所述步骤1、步骤2的重复次数为2~4次。
说明书
技术领域
[0001]本发明涉及一种直拉单晶炉的管道清洁方法，属于单晶硅制备技术领域。
背景技术
[0002]随着半导体技术
声明：
“直拉单晶炉的管道清洁方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：山东有研艾斯半导体材料有限公司
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2025年06月20日 ~ 22日 
