权利要求
1.一种氧化镓单晶制备方法，其特征在于，包括：
将氧化镓籽晶切割为长方体，并将长方体氧化镓籽晶的底部加工为楔形，得到第一氧化镓籽晶;
将所述第一氧化镓籽晶依次进行退火和表面处理，得到第二氧化镓籽晶;
在进行引晶时，将所述第二氧化镓籽晶的下部下降至与熔体接触，之后依次进行提拉、放肩、等径、收尾和降温工序，得到氧化镓单晶。
2.如权利要求1所述的氧化镓单晶制备方法，其特征在于，所述楔形的下端面的面积与上端面的面积的比值范围为30%到80%;楔形的两个斜面与上端面夹角的范围为20°到60°。
3.如权利要求1所述的氧化镓单晶制备方法，其特征在于，所述将所述第二氧化镓籽晶的下部下降至与熔体接触，包括：
将所述第二氧化镓籽晶的下部下降至与熔体接触，并回熔第一预设长度。
4.如权利要求1所述的氧化镓单晶制备方法，其特征在于，所述将所述第一氧化镓籽晶依次进行退火和表面处理，得到第二氧化镓籽晶，包括：
将所述第一氧化镓籽晶平放于蓝宝石片的上方，将所述蓝宝石片和所述第一氧化镓籽晶整体放入退火炉中进行退火;
将退火完成的第一氧化镓籽晶放置于酸性溶液或者碱性溶液中进行表面腐蚀，得到所述第二氧化镓籽晶。
5.如权利要求4所述的氧化镓单晶制备方法，其特征在于，所述退火炉中的退火气氛为氩气、氮气或其他惰性气体，退火温度为1200℃到1600℃，退火时间为0.5h到5h。
6.如权利要求4所述的氧化镓单晶制备方法，其特征在于，所述酸性溶液的质量浓度为20%到80%，酸性溶液为磷酸溶液、硫酸溶液或者王水。
7.如权利要求4所述的氧化镓单晶制备方法，其特征在于，所述碱性溶液的质量浓度为20%到80%，酸性溶液为氢氧化钠或者氢氧化钾。
8.如权利要求1所述的氧化镓单晶制备方法，其特征在于，所述长方体氧化镓籽晶每个面的表面粗糙度小于等于1nm。
9.如权利要求1所述的氧化镓单晶制备方法，其特征在于，所述依次进行提拉、放肩、等径、收尾和降温工序，得到氧化镓单晶，包括：
在提拉工序时，保持恒温条件，使生长的氧化镓不缩不扩达到第二预设长度后停止提拉工序;
之后依次进行放肩、等径、收尾和降温工序，得到所述氧化镓单晶。
10.如权利要求1所述的氧化镓单晶制备方法，其特征在于，所述将氧化镓籽晶切割为长方体，并将长方体氧化镓籽晶的底部加工为楔形，得到第一氧化镓籽晶，包括：
声明：
“氧化镓单晶制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：中国电子科技集团公司第四十六研究所
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2025年05月09日 ~ 11日 
