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碳化硅半导体生产用单晶炉

464   编辑：中冶有色网   来源：深圳市国雪科技有限公司  
2025-10-13 15:12:38
权利要求 1.一种碳化硅半导体生产用单晶炉，其特征在于：包括炉体(1)，所述炉体(1)的顶端设有泄压机构(3)，所述泄压机构(3)包括内嵌在炉体(1)顶端的筒体(31)，所述筒体(31)的内部滑动有活塞杆(32)，所述活塞杆(32)的顶端安装有推盘(33)，所述炉体(1)的顶端安装有吸气管(34)，所述吸气管(34)的一侧连通有输气管(36)，所述输气管(36)的一端连通有储气箱(37)，所述吸气管(34)的底端滑动有堵头(39)，所述推盘(33)与堵头(39)之间安装有转杆(38)，所述筒体(31)的内部设有弹簧B(14); 所述炉体(1)的内部设有水冷机构(4)，所述水冷机构(4)包括安装在炉体(1)内腔的水冷管(44)，所述水冷管(44)的两端连通有循环管(43); 所述循环管(43)的外壁设有调节机构(5)，所述调节机构(5)包括安装在循环管(43)外壁的壳体(51)，所述壳体(51)的内部转动有球阀(52)，所述推盘(33)的侧壁设有调节球阀(52)转动的驱动组件; 所述储气箱(37)的顶端设有挤压机构(6)，所述挤压机构(6)包括安装储气箱(37)顶端的套管(65)，所述套管(65)的内部滑动有挤压杆(66)，所述挤压杆(66)的上方设有挡杆(68)，所述输气管(36)的内部设有驱动挤压杆(66)移动的转动组件; 所述转杆(38)的外壁套设有扇叶(9)，所述转杆(38)与循环管(43)之间设有驱动扇叶(9)转动的驱动组件。 2.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体生产用单晶炉，其特征在于：所述吸气管(34)设置有多组，多组所述吸气管(34)采用钼合金材质。 3.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体生产用单晶炉，其特征在于：所述水冷机构(4)还包括设在炉体(1)一侧的水冷箱(41)，所述水冷箱(41)的顶端安装有水泵(42)。 4.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体生产用单晶炉，其特征在于：所述驱动组件包括安装在球阀(52)侧壁的阀杆(53)，所述推盘(33)的侧壁安装有连杆(54)，所述连杆(54)的一端安装有与阀杆(53)啮合的齿条A(55)。 5.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体生产用单晶炉，其特征在于：所述转动组件包
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碳化硅半导体 单晶炉
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