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MOS栅控晶闸管

819   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 14:50:23
本发明涉及半导体技术,具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P+阴极接触区10进行改进,增大了P+阴极接触区10的宽度,改变了冶金结形貌,减小了自阴极金属11流入的电子的运输通道。器件正向工作特性受到P+阴极接触区10、N阱9组成的JFET的控制,在相对较小的阳极电压下可发生沟道夹断效应,能控制器件饱和电流的大小。P+阴极区接触区10的结深和宽度可根据器件设计要求进行优化取值。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管。
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“MOS栅控晶闸管” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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