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低电容ESD芯片制造工艺

844   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:04:30
本发明属于ESD芯片制造领域,尤其是一种低电容ESD芯片制造工艺,针对现有的ESD芯片漏电流高,电容值高问题,现提出如下方案,其包括以下步骤:S1、扩散前处理:采用N型外延衬底,通过酸、SC3#配方清洗工序,对硅片表面进行化学处理;S2、零层光刻,初氧;S3、基区光刻:正胶工艺刻出基区;S4、基区补硼;S5、硼氧化:生成薄氧;S6、正面接触区光刻,正面蒸,正面金属光刻;S7、真空合金,中检;S8、正面贴膜保护,背面磨片,背面蒸钛;S9、测试,本发明漏电流低,电容值低。
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“低电容ESD芯片制造工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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