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半导体器件失效定位方法

849   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:59:35
本发明公开了一种半导体器件失效定位方法,包括:开启半导体器件封装,露出器件芯片;在所述器件芯片表面涂覆液晶并加电,根据液晶颜色变化情况,确定失效点位置;对所述器件芯片进行逐层剥层直至所述失效点完全暴露;本发明验操作简单方便,将液晶技术引入到半导体器件失效分析中,弥补了微光显微镜设备昂贵的问题,同时,提出了半导体芯片干法刻蚀和湿法刻蚀中的相关参数及化学配比,能高效应用于常规Si半导体器件的剥层;将两者有效的结合起来,能够满足半导体器件深层失效分析定位及失效分析的需求。
声明:
“半导体器件失效定位方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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