本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体行业含双氧水废水的处理方法及处理装置。
背景技术：
半导体制造中会产生含氨废液，其主要成分的比例约为nh4oh∶h2o2∶h2o＝1∶2∶50，可看出其中含有较高浓度的双氧水，且一般不会对双氧水进行去除处理，但是随着目前国内最先进的12英寸芯片工艺40/45纳米项目的产能释放，造成了许多问题：
a.含双氧水废水的排放量不断上升。
b.其中双氧水浓度高达1500～3000mg/l。
c.传统调节ph值进行搅拌吹脱的工艺对该废水中双氧水没有良好的处理效果。
d.双氧水会严重影响cod(化学需氧量)的测值，使之偏高。
e.双氧水自发分解出o2造成废水中气体较多，气蚀影响泵浦正常运行及寿命。
f.双氧水带有挥发性，污染环境，影响员工身体健康。
由此带来的主要问题是排放口cod超标的风险很高。
因此，有必要提出一种新的半导体行业含双氧水废水的处理方法及处理装置，以解决现有的技术问题。
技术实现要素：
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了克服目前存在的问题，本发明的一方面提供一种半导体行业含双氧水废水的处理装置，包括：
调节槽，用于调节所述废水的ph值；
反应塔，连接所述调节槽，用于使从所述调节槽出来的废水中的双氧水分解；
吹脱塔，连接所述反应塔，用于对从所述反应塔出来的废水进行氨氮吹脱；
吸收塔，连接所述吹脱塔，所述氨氮吹脱产生的氨气进入所述吸收塔中被吸收；
其中，经所述吹脱后的废水进入与吹脱塔相连接的氢氟系统后再排放。
在一个实施例中，所述调节槽中所用调节剂为氢氧化钠。
在一个实施例中，所述ph值被调节为10.0～11.0。
在一个实施例中，所述反应塔为两个。
示例地，两个所述反应塔的连接方式为串联连接或并联连接，且通过阀门进行控制。
在一个实施例中，所述反应塔中所用填料为锰砂，其有效成分为二氧化锰，所述二氧化锰催化所述双氧水分解为氧气和水。
在一个实施例中，所述锰砂中二氧化锰的含量为35％～45％。
在一个实施例中，所述调节槽包括搅拌装置。
在一个实施例中，所述搅拌装置的转速为50～1
声明：
“半导体行业含双氧水废水的处理方法及处理装置与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
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2025年05月09日 ~ 11日 
