氮化硅基板、氮化硅
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金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件
技术领域
1.本发明涉及氮化硅基板、氮化硅
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金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件。
背景技术：
2.近年来，作为构成电路基板等的绝缘基板，广泛使用作为陶瓷烧结体的陶瓷基板。例如，在制造功率模块的情况下，有时使用将金属电路板接合于氧化铝、氧化铍、氮化硅、氮化铝等陶瓷材料而得到的陶瓷电路基板。
3.另外，近年来，随着功率模块的高输出化、高集成化，来自功率模块的发热量不断增加。为了使该发热高效地逸散，存在使用具有高绝缘性和高导热性的氮化硅基板、氮化铝基板等陶瓷基板的倾向。
4.例如，专利文献1公开了与氮化硅基板的制造方法相关的技术，其中，在氮化硅基板的制造工序中，在氮化硅成型体的表面设置由特定组成的氮化硼形成的分离层。
5.现有技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：国际公开第2013/054852号
技术实现要素：
8.发明要解决的课题
9.然而，就上述以往的技术而言，难以以稳定的成品率得到可靠性高的氮化硅电路基板。其原因之一可举出氮化硅基板中产生的翘曲。通常，若氮化硅基板的翘曲变大，则金属板与氮化硅基板的密合性下降，在利用钎料将金属板与氮化硅基板接合的接合工序中的降温过程、功率模块运转时的热循环时，金属板与氮化硅基板剥离，导致接合不良或热阻不良，半导体封装件的可靠性下降的可能性增加。
10.因此，从氮化硅电路基板的成品率提高及可靠性提高的观点考虑，将氮化硅基板的翘曲调节至适当的范围内是重要的，但就以往的技术而言，存在无法充分地抑制氮化硅基板的翘曲的情况。
11.本发明是鉴于上述情况而做出的。本发明的目的之一在于提供翘曲少的氮化硅基板。
12.用于解决课题的手段
13.本技术的发明人进行了深入研究，结果完成了以下提供的发明，解决了上述课题。
14.即，根据本发明，提供氮化硅基板，
15.其为含有氮化硅和镁的氮化硅基板，
16.在下述条件i下，利用x射线荧光分析装置对上述氮化硅基板的表面进行分析时，xb/xa为0.8以上、1.0以下。
17.(条件i)
18.利用x射线荧光分析装置，对上述氮化硅基板中的任一面的表面的对角线的交叉点a进行分析，将上述交叉点a处的镁量(mass％，以氧化物换算)设为xa(％)。另外，利用x射线荧光分析装置，对处于上述对角
声明：
“氮化硅基板、氮化硅-金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：电化株式会社
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2025年05月09日 ~ 11日 
